STW65N80K5

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗与散热问题所困扰？当系统需要在高压下稳定输出大电流时，传统的解决方案往往在效率与温升之间难以两全。现在，这一切有了全新的答案STW65N80K5。这款来自ST意法半导体MDmesh K5系列的高性能N沟道MOSFET，正是为打破这一瓶颈而生。它凭借800V的卓越耐压能力和高达46A的连续漏极电流，为您的高压大功率应用提供了一个坚实、高效的心脏。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩的核心电路中，STW65N80K5正以其出色的性能稳定运行。其导通电阻（Rds(on)）在23A、10V条件下低至80毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。配合优化的栅极电荷（Qg）特性，它能实现更快的开关速度和更低的开关损耗，从而显著提升整个系统的转换效率。无论是应对频繁启停的工业环境，还是要求7x24小时不间断运行的通信基础设施，它都能确保您的设备在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，将高达446W的功率耗散能力转化为实实在在的可靠性保障。

选择STW65N80K5，不仅仅是选择了一颗参数优异的MOSFET，更是选择了一个经过市场验证的先进技术平台MDmesh K5。这一技术专为优化开关性能与能效比而设计，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。其经典的TO-247封装，兼顾了优异的散热性能和成熟的工艺兼容性，让您的生产与升级无缝衔接。为了确保您能获得原厂正品与全面的技术支持，我们强烈建议您通过官方ST授权代理进行采购。让STW65N80K5成为您下一代高性能电源与驱动设计的基石，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STW65N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 46A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 23A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3230 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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还在为高压大功率设计的效率瓶颈寻找突破口吗？STW65N80K5正是您期待的解决方案。这颗800V/46A的N沟道MOSFET，采用ST先进的MDmesh K5技术，能为您大幅降低开关损耗和导通损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器系统运行得更凉爽、更高效。

它拥有低至80毫欧的优异导通电阻和优化的动态特性，让您轻松实现更高的功率密度和更快的开关频率。无论是应对严苛的工业环境还是追求极致的能源效率，STW65N80K5都能提供稳定可靠的性能支撑，助您轻松构建更具竞争力的下一代电力电子产品。