STW68N65DM6-4AG

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为开关损耗、散热难题和系统稳定性而困扰？现在，让我们向您介绍一个划时代的解决方案STW68N65DM6-4AG。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，不仅仅是又一个功率器件，它是专为应对严苛应用挑战而生的能量控制核心。凭借其650V的卓越耐压能力和高达72A的连续漏极电流，它为您打开了通往更高功率密度和更强系统鲁棒性的大门，让每一次能量转换都精准、高效且从容不迫。

想象一下，在电动汽车的OBC（车载充电机）中，它如何以极低的导通电阻（仅39毫欧）和优化的开关特性，显著降低能量损耗，提升充电效率，同时满足汽车级AEC-Q101的严苛可靠性标准。在服务器电源和工业电机驱动中，其MDmesh技术带来的卓越动态性能和快速开关能力，让系统响应更迅捷，运行更平稳。无论是太阳能逆变器需要应对复杂的环境变化，还是UPS（不间断电源）系统要求毫秒级的切换可靠性，STW68N65DM6-4AG都能凭借其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和强大的功率处理能力（480W），成为您设计中坚不可摧的基石，确保关键应用7x24小时稳定运行。

选择STW68N65DM6-4AG，意味着您选择了一种面向未来的设计哲学。它不仅仅是一颗MOSFET，更是ST意法半导体深厚技术积淀与对市场深刻洞察的结晶。其TO-247-4封装在提供出色散热性能的同时，也为您的PCB布局提供了灵活性。更低的栅极电荷（118nC）意味着更低的驱动损耗，让您的驱动电路设计更简化，系统整体效率再上一个台阶。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系官方授权的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。拥抱STW68N65DM6-4AG，就是拥抱更高效率、更小体积、更强可靠性的下一代功率系统，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得先机。

• 型号:STW68N65DM6-4AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:39 毫欧 @ 36A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:118 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:480W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• 现在可以订购STW68N65DM6-4AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，并保持超低损耗的功率开关吗？STW68N65DM6-4AG正是为此而生。这颗采用先进MDmesh技术的汽车级MOSFET，拥有650V耐压和72A的强劲电流处理能力，其核心价值在于让您的电源或电机驱动系统运行得更“冷静”、更高效。

它通过仅39毫欧的超低导通电阻，大幅削减导通损耗，直接提升系统整体能效。同时，优化的开关特性帮助您轻松应对高频应用，减少开关损耗和电磁干扰。无论是提升功率密度，还是增强系统在严苛环境下的可靠性，它都是您实现设计目标的得力助手。