STW77N65M5

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为系统损耗和散热设计而妥协？想象一下，一款功率器件能够同时带来更低的导通损耗、更快的开关速度和卓越的散热表现，这将是怎样的设计飞跃？现在，这一切已触手可及。我们隆重向您介绍意法半导体MDmesh V系列中的明星产品STW77N65M5。它不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升系统功率密度和可靠性的关键引擎，其高达650V的耐压和69A的连续电流能力，为您的设计提供了坚实的基石。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断演进的新能源汽车车载充电机(OBC)和光伏逆变器，对功率开关器件的需求都日益严苛。在这些高功率、高频率的应用场景中，STW77N65M5都能大显身手。它采用先进的MDmesh V技术，将超低导通电阻（Rds(on)典型值仅38mΩ）与优化的栅极电荷（Qg）完美结合。这意味着在相同的电流下，它能显著降低导通损耗，让宝贵的电能更多地转化为有效输出而非热量；同时，更低的开关损耗允许您采用更高的开关频率，从而减小磁性元件的体积和成本，让您的整机设计更加紧凑、高效。

选择STW77N65M5，就是选择了一份从容与信心。其坚固的TO-247-3封装能够承受高达400W的功率耗散，结合高达150°C的结温工作能力，为系统应对瞬时过载和恶劣环境提供了宽裕的安全边际。这颗芯片的卓越性能，源自意法半导体深厚的技术积淀和严格的质量管控。当您通过正规的ST授权代理渠道获取它时，您获得的不仅是一颗高品质的芯片，更是完整的技术支持、可靠的供应链保障和长期稳定的供货承诺。它让您的设计从蓝图走向量产的道路更加平坦，助力您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效和可靠性脱颖而出，赢得客户的长期信赖。

• 型号:STW77N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):69A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 34.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:200 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW77N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高功率应用的效率瓶颈和散热难题寻找解决方案吗？STW77N65M5正是您期待的答案。这颗基于意法半导体先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和高达69A的连续电流处理能力，旨在让您轻松驾驭服务器电源、工业驱动及新能源等高要求场景。

它的核心价值在于卓越的性能平衡：仅38mΩ的超低导通电阻能大幅削减导通损耗，提升系统整体能效；同时，优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关行为，有效降低开关损耗和电磁干扰。这一切都集成在经典的TO-247-3封装内，配合强大的散热能力，让您的设计不仅高效，而且无比可靠。