STW7N105K5

当您的电源设计面临高压、高功率密度与严苛效率指标的多重挑战时，是否曾为寻找一颗既能扛住电压尖峰，又能保持出色开关性能的功率开关而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。我们隆重向您推荐意法半导体SuperMESH5家族的明星成员STW7N105K5。这颗N沟道MOSFET以其高达1050V的漏源击穿电压，为您的高压侧应用筑起一道坚固的防线，彻底消除因电压应力导致的可靠性焦虑，让您的设计从起步就赢在安全与稳健的基石之上。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或大功率LED照明驱动这些对效率和稳定性要求近乎苛刻的场景中，STW7N105K5正大显身手。它不仅仅是一个开关，更是系统高效能量转换的核心引擎。得益于先进的SuperMESH5技术，它在保持超低栅极电荷（Qg仅17nC）和输入电容的同时，实现了优异的导通电阻特性。这意味着更快的开关速度、更低的开关损耗和导通损耗，直接转化为更低的系统温升和更高的整体能效。无论是应对频繁启停的电机控制，还是追求极致转换效率的开关电源，它都能让您的产品在性能竞赛中脱颖而出。

选择STW7N105K5，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺与长期价值。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和TO-247封装带来的强大散热能力，确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作，极大延长了终端产品的使用寿命。更为重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能享受到及时的技术支持、充足的库存供应以及灵活的供应链服务，让您的项目从研发到量产全程无忧。这不仅仅是一颗芯片的升级，更是您产品竞争力与市场成功率的全面赋能。

• 型号:STW7N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 4A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW7N105K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压应用中的开关损耗和热管理头疼吗？让STW7N105K5来为您解决！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的SuperMESH5技术，拥有1050V的高耐压和仅2欧姆的低导通电阻，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它高达4A的连续漏极电流承载能力和110W的功率耗散上限，配合TO-247封装优异的散热特性，为您应对高功率挑战提供了坚实的硬件基础。极低的栅极电荷和输入电容，让驱动设计变得更简单，开关速度更快，轻松提升系统整体响应与能效。选择它，就是为您的产品注入了高性能与高可靠性的双重基因。