STW7N90K5

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为高电压下的开关损耗和散热难题而妥协？想象一下，一颗能够轻松应对900V高压环境，同时将导通电阻和开关损耗降至新低的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能格局。现在，这一切不再是想象，STW7N90K5正是为此而生的答案。它来自ST意法半导体革命性的MDmesh K5系列，专为那些对效率、可靠性和功率密度有严苛要求的应用场景量身打造。

无论是工业级开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路，还是不断演进的新能源领域如光伏逆变器、电动汽车充电桩，STW7N90K5都能游刃有余。其900V的漏源电压提供了充裕的安全裕量，让系统在电网波动或复杂工况下依然坚如磐石。高达7A的连续漏极电流和110W的强大功率处理能力，意味着它能够承载更重的负载，输出更稳定的能量，让您的终端设备动力澎湃，运行持久。选择它，就是为您的产品注入了高性能的基因。

为何众多工程师将STW7N90K5作为高压设计的首选？其核心魅力在于MDmesh K5技术带来的颠覆性平衡。这项技术精妙地优化了芯片结构，在确保超低导通电阻（RDS(on)）的同时，大幅降低了栅极电荷(Qg)和输出电荷(Qoss)。这意味着更少的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的整体效率和更低的温升。您无需再在效率与散热之间艰难取舍，它能帮助您轻松达成能效标准，甚至超越预期。其坚固的TO-247-3封装确保了卓越的散热性能和机械可靠性，从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它无惧严寒酷暑的挑战，保障设备7x24小时稳定运行。

当您寻求可靠的原厂品质与及时的技术支持时，通过官方授权的ST代理进行采购，无疑是保障供应链稳定、获得正品芯片的最佳途径。让STW7N90K5成为您下一个明星产品的强大心脏，它不仅是一个组件，更是您提升市场竞争力、赢得用户信赖的价值引擎。立即采用，开启高效、可靠的高压电源设计新篇章！

• 型号:STW7N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 7A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW7N90K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时征服高压与高效挑战的功率开关吗？STW7N90K5 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它基于ST先进的MDmesh K5技术，拥有900V的惊人耐压和7A的持续电流能力，专为 demanding 的应用而设计。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源设计，如服务器电源、工业电机驱动或新能源逆变器，运行得更加“冷静”且高效。其核心技术显著降低了导通和开关损耗，这意味着更少的能量浪费和更低的发热，直接帮助您提升系统整体效率，轻松应对严格的能效法规。同时，其坚固的封装和宽温度范围确保了卓越的长期可靠性。

选择STW7N90K5，就是选择了一个经过验证的高性能解决方案。它让您能够以更简洁的设计，实现更强大的功率输出和更稳定的性能，助您快速将创新、可靠的产品推向市场。