STW7N95K3

当您的电源设计面临高压、高功率的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能保证系统稳定，又能显著提升效率的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体SuperMESH3家族的明星产品STW7N95K3。这颗950V耐压的N沟道MOSFET，不仅仅是参数的堆砌，更是为您的下一代高效能电源解决方案注入的强大心脏。它意味着更低的损耗、更小的发热以及更可靠的长期运行，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借卓越的能效表现脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、大功率LED照明或是新能源充电桩的核心电路中，STW7N95K3正发挥着关键作用。其高达950V的漏源电压（Vdss）提供了充裕的电压裕量，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰，为系统安全筑起坚固防线。而7.2A的连续漏极电流承载能力，结合仅为1.35欧姆的低导通电阻，确保了在大电流工作状态下，导通损耗被降至极低水平。这意味着，您的设备不仅能处理繁重的功率任务，还能将更多电能高效地输送给负载，而非浪费在发热上，直接助力您达成更高的能效标准，如80 PLUS钛金认证。

选择STW7N95K3，就是选择了一份经得起验证的卓越与安心。其采用的先进SuperMESH3技术，在开关速度和导通损耗之间取得了精妙平衡，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让开关过程更为迅速、干净，显著降低了开关损耗，尤其适合高频开关电源应用。TO-247-3的经典封装提供了出色的散热路径，配合150W的强大功率耗散能力，确保芯片在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。无论您的设计环境多么复杂苛刻，它都能游刃有余。为了确保您能便捷、可靠地获得这颗高性能芯片及其全面的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的ST一级代理进行采购，从源头上保障产品正宗与供应稳定。立即采用STW7N95K3，让它成为您提升产品竞争力、赢得市场的秘密武器。

• 型号:STW7N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1031 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW7N95K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题寻找突破方案吗？STW7N95K3正是为您而来的答案。这颗基于意法半导体先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有950V的超高耐压和7.2A的强电流处理能力，核心价值在于其极低的导通电阻（Rds(on)）。这意味着它能在导通时大幅减少能量损耗，直接转化为更低的发热和更高的系统整体效率，让您的电源设计轻松迈入高效能时代。

它不仅仅是一个开关，更是您提升产品可靠性的得力助手。优异的开关特性（低Qg和Ciss）确保了快速、干净的开关动作，减少开关损耗和噪声。TO-247-3封装提供了卓越的散热性能，结合150W的功率耗散能力，让芯片即使在严苛环境下也能持续稳定工作。选择STW7N95K3，就是选择让您的工业电源、电机驱动或新能源设备运行得更冷静、更强劲、更持久。