STW7NK90Z

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否还在为高压、高功率应用中的开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STW7NK90Z。这颗来自ST意法半导体SuperMESH家族的900V N沟道MOSFET，正是为挑战严苛应用而生，它将重新定义您对高压开关性能的期待。

想象一下，在工业电源、服务器PSU或是不间断电源（UPS）系统中，STW7NK90Z能够轻松应对高达900V的漏源电压，提供5.8A的连续电流能力。其核心魅力在于SuperMESH技术带来的革命性低导通电阻，在10V驱动电压下，仅需2欧姆的Rds(on)最大值，这意味着更低的传导损耗和更出色的整体效率。无论是面对功率因数校正（PFC）电路中的高频开关，还是电机驱动中的硬开关环境，它都能确保系统运行得更冷静、更持久，将能量浪费降至最低，直接转化为您的产品竞争力和用户价值。

选择STW7NK90Z，就是选择了一份从容与安心。其高达140W的功率耗散能力与宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了产品无与伦比的鲁棒性，轻松应对各种恶劣工况。TO-247-3的经典封装不仅提供了卓越的散热性能，也简化了您的PCB布局与生产流程。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，遍布全球的ST代理网络将是您坚实的后盾。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品性能、缩短开发周期、赢得市场先机的强大引擎。立即体验STW7NK90Z带来的变革力量，让您的下一个设计脱颖而出。

• 型号:STW7NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW7NK90Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、高效率重任的功率开关吗？STW7NK90Z正是您的理想之选。这颗采用先进SuperMESH技术的900V N沟道MOSFET，旨在让您的电源设计如虎添翼。

它拥有高达5.8A的连续电流能力和仅2欧姆的低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，从而提升系统整体能效。无论是用于工业电源、照明镇流器还是电机驱动，它都能确保稳定可靠的性能，让您轻松应对严苛的应用挑战。

凭借TO-247封装带来的优异散热性和宽广的工作温度范围，STW7NK90Z为您提供了高效与耐用的完美结合，是打造下一代高性能功率转换系统的核心基石。