STW9NK90Z - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW9NK90Z技术参数详情：

当您的工业电源或电机驱动项目面临高压、高功率密度的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能扛住900V高压冲击，又能保持高效低损耗的“心脏”而烦恼？答案就在STW9NK90Z。这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道功率MOSFET，正是为突破效率瓶颈、提升系统可靠性而生的卓越之选。它不仅仅是一个开关，更是您实现能源高效转换、构建稳定耐用设备的基石。

想象一下，在工业开关电源（SMPS）的PFC或反激拓扑中，或者在空调、洗衣机等白色家电的电机驱动板上，甚至在要求严苛的照明镇流器里，STW9NK90Z都能大显身手。其高达900V的漏源击穿电压，为应对电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰提供了充裕的安全裕量，让您的设计在面对复杂工况时依然从容不迫。同时，8A的连续漏极电流能力和仅1.3欧姆的低导通电阻，意味着在导通期间的能量损耗被降至极低，这不仅直接提升了整机效率，减少了散热需求，更能帮助您的终端产品在能效标准日益严格的市场上脱颖而出。

选择STW9NK90Z，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其采用的SuperMESH技术，在高压与低导通电阻之间取得了精妙平衡，72nC的较低栅极电荷也优化了开关速度与驱动损耗。TO-247-3的经典封装确保了强大的散热能力和机械可靠性，适用于各种要求严苛的工业环境。当您需要稳定可靠的货源与专业的技术支持时，请务必认准官方授权的ST一级代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。无论是升级现有方案，还是开发新一代高性能产品，让STW9NK90Z成为您值得信赖的功率核心，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STW9NK90Z
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2115 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:160W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？让STW9NK90Z来为您解决！这颗意法半导体的900V N沟道MOSFET，集SuperMESH先进技术于一身，旨在让您的电源和电机驱动设计更高效、更可靠。

它能为您做什么？核心在于其卓越的性能参数：高达900V的耐压让您无惧电压尖峰挑战；1.3欧姆的低导通电阻（Rds(on)）大幅降低导通损耗，提升能效；同时，优化的栅极电荷（Qg）有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。这一切都封装在散热性能优异的TO-247-3管壳内，确保您能轻松应对高达160W的功率耗散。

选择STW9NK90Z，就是选择了一个经过验证的高性能解决方案。它让您能够轻松构建出效率更高、运行更稳定、寿命更长的工业级产品，是您攻克高压功率转换难题的得力助手。