STW9NK95Z - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW9NK95Z技术参数详情：

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用的效率瓶颈和散热难题而困扰？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STW9NK95Z。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，以其950V的超高耐压和仅为1.38欧姆的低导通电阻，重新定义了高压功率开关的效能标准。它不仅仅是又一个元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或新能源逆变器中，STW9NK95Z正以其卓越的SuperMESH技术内核稳定运行。它能轻松应对严苛的高压环境，将开关损耗降至更低，让系统整体效率显著提升。这意味着您的设备不仅能更冷静地工作，减少散热系统的负担和成本，更能为用户带来更持久的可靠性和更低的运营成本。无论是面对突发的电压浪涌，还是持续的高负荷运行，它都能提供坚实的保护，确保系统心脏的强劲搏动。

选择STW9NK95Z，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的技术保障与性能承诺。其高达160W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作温度范围，赋予了设计者前所未有的灵活性和鲁棒性。TO-247的经典封装形式，兼顾了优异的散热能力和成熟的工艺兼容性，让升级换代轻松无虞。当您需要可靠的技术支持和供应链保障时，我们的合作伙伴专业的ST中国代理网络将随时为您提供从选型到量产的全方位服务。让STW9NK95Z成为您下一个明星产品的力量核心，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STW9NK95Z
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 950V 7A TO247
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.38 欧姆 @ 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2256 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:160W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
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您正在寻找一颗能扛起高压重任、同时保持高效冷静的功率开关吗？STW9NK95Z正是为您而来。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有950V的惊人耐压和仅1.38欧姆的低导通电阻，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器设计效率更高，发热更少。

它内置强大的性能基因：高达7A的连续漏极电流和160W的功率处理能力，确保在严苛工况下稳定输出；优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让开关速度更快，驱动更轻松。无论是应对工业环境的挑战，还是提升消费级产品的能效，STW9NK95Z都能让您的设计脱颖而出，轻松实现更高功率密度和更可靠的系统性能。