STWA48N60M6

在追求极致能效的电力转换世界，您是否还在为功率器件的损耗与散热问题而妥协？现在，让我们向您介绍一个改变游戏规则的答案STWA48N60M6。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其MDmesh M6技术的卓越基因，将600V的耐压与仅69毫欧的超低导通电阻完美结合，为您带来的不仅仅是39A的强大电流承载能力，更是一种从源头提升系统效率、降低运营成本的革命性体验。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）的核心电路中，能量每多一份无谓的损耗，就意味着多一份热量和电费的支出。STWA48N60M6正是为此类高压、高频开关应用而生。它极低的Qg（栅极电荷）和Ciss（输入电容）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源模块在应对动态负载时响应更迅捷，整体能效轻松突破传统瓶颈。无论是追求80 PLUS钛金认证的尖端电源设计，还是需要高可靠性的新能源及焊接设备，它都能成为系统中那颗稳定而高效的“心脏”。

选择STWA48N60M6，您选择的不仅是一个元器件，更是一套经过市场验证的高性能解决方案。其TO-247长引线封装提供了优异的散热路径，结合高达250W的功率耗散能力，让热管理设计变得更加从容，系统寿命和可靠性显著提升。从原型设计到批量生产，您可以信赖其一致的卓越性能。如需获取样品、技术资料或采购支持，我们专业的ST代理商团队随时待命，为您提供从选型到交付的一站式服务，助您将创新构想快速转化为具有市场竞争力的产品。

• 制造商产品型号：STWA48N60M6
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 39A TO247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M6
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：39A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：69毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：57nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2578pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247 长引线
• 现在可以订购STWA48N60M6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STWA48N60M6正是您的理想之选。它基于ST先进的MDmesh M6技术，在600V的电压等级下，实现了惊人的低导通电阻（Rds(on)），这意味着在导通状态下更少的能量损耗，直接转化为更低的发热和更高的系统效率，让您的电源或电机驱动设计轻松迈入能效新境界。

这颗芯片能为您做什么？它让您能够构建更紧凑、更可靠的功率转换系统。其优化的动态特性，如较低的栅极电荷，允许使用更小的驱动器，实现更高频率的开关操作，从而减小磁性元件的体积和成本。无论是面对-55°C到150°C的严苛工作温度，还是需要处理持续的功率耗散，它坚固的TO-247封装和稳健的性能都能让您高枕无忧，专注于实现产品的核心价值。