STWA50N65DM2AG - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STWA50N65DM2AG技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一颗能够同时驾驭高功率与严苛环境的“心脏”？今天，我们为您带来意法半导体专为汽车级应用打造的卓越解决方案STWA50N65DM2AG。它不仅仅是一颗MOSFET，更是您构建下一代高效、紧凑、可靠电源系统的信心基石。其高达650V的漏源电压和38A的连续漏极电流，意味着它能从容应对工业电机驱动、服务器电源、电动汽车车载充电器（OBC）以及光伏逆变器中常见的电压尖峰和持续大电流挑战，让您的设计从一开始就站在高可靠性的起跑线上。

想象一下，在电动汽车快速充电的场景中，能量需要被高效、稳定地转换与管理。STWA50N65DM2AG凭借其先进的MDmesh DM2技术，实现了超低的导通电阻（Rds(on)典型值仅87mΩ）与优化的栅极电荷（Qg）。这意味着更低的导通损耗和开关损耗，直接转化为更少的发热量和更高的系统效率。无论是面对频繁启停的电机控制，还是要求24/7不间断运行的数据中心电源，这颗芯片都能显著降低能耗，提升整体功率密度，让您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出。选择通过官方授权的ST代理进行采购，更是确保了您能获得原装正品与全面的技术支持，为项目顺利推进保驾护航。

为何众多工程师在关键设计中信赖STWA50N65DM2AG？答案在于它无与伦比的平衡性与坚固性。它严格遵循汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至150°C，能够轻松抵御极端温度波动带来的性能衰退。TO-247封装提供了卓越的散热能力，结合300W的强大功率耗散，确保了在满载甚至过载情况下的长期稳定运行。更低的栅极阈值电压和优化的动态特性，让驱动电路设计更为简化，有效降低了系统复杂性和总体成本。当您需要一颗能扛住压力、经得起时间考验的高压MOSFET时，STWA50N65DM2AG提供的不仅仅是参数表上的数字，更是一份关于性能、寿命与安全的郑重承诺，是您打造市场领先产品的强大引擎。

型号:STWA50N65DM2AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 38A TO247
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:69 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3200 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
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您正在为高压、高功率应用寻找一颗既强悍又可靠的开关核心吗？STWA50N65DM2AG正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和38A的连续电流能力，能轻松应对严苛的工业与汽车环境，让您的电源转换、电机驱动或光伏逆变系统运行得更稳定、更高效。

它的核心价值在于卓越的能效表现。极低的导通电阻（仅87mΩ）与优化的栅极电荷，共同大幅降低了开关损耗和导通损耗，直接帮助您提升系统整体效率，减少散热需求。同时，其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，以及宽达-55°C至150°C的工作结温范围，赋予了产品无与伦比的坚固性和长寿命，让您在设计高可靠性产品时充满信心。