STWA75N60M6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STWA75N60M6技术参数详情：

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更高功率密度时遇到散热挑战，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与大电流，还能保持冷静的功率开关？今天，我们为您带来的STWA75N60M6，正是意法半导体MDmesh M6系列中的明星产品，它不仅仅是一个参数，更是您突破性能天花板的钥匙。想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩的核心电路中，一颗器件就能稳定承载600V高压和72A的强大电流，将导通损耗降至极低，这意味着更少的能量浪费、更小的散热系统以及最终产品无可比拟的可靠性。

这颗芯片的价值，在每一个要求严苛的应用场景中都熠熠生辉。在数据中心不间断电源（UPS）中，它意味着更高的转换效率和更长的运行时间，直接降低运营成本；在太阳能逆变器里，其出色的开关特性有助于最大化捕获每一缕阳光的能量；而对于蓬勃发展的电动汽车充电设施，STWA75N60M6的稳健表现确保了快速、安全、可靠的能量传输，让用户体验大幅提升。其TO-247长引线封装不仅提供了卓越的散热路径，也简化了您的PCB布局与生产流程。

选择它，就是选择了一份由顶尖技术带来的安心与优势。其核心的MDmesh M6技术，实现了超低导通电阻（Rds(on)）与优化栅极电荷（Qg）的完美平衡，这直接转化为更低的开关损耗和导通损耗，让您的系统即使在满载运行时也能保持高效与清凉。高达446W的功率耗散能力，配合宽达-55°C至150°C的工作结温范围，赋予了它应对极端工况的强悍底气。当您通过值得信赖的ST授权代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是产品本身，更是从源头保障的品质、稳定的供应以及专业的技术支持，让您的创新之路再无后顾之忧。

型号:STWA75N60M6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247 长引线
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 72A TO247
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 36A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:446W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247 长引线
封装/外壳:TO-247-3
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还在为功率转换系统的效率与散热问题烦恼吗？让STWA75N60M6成为您设计的强大心脏。这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和高达72A的连续电流承载能力，能轻松应对工业电源、电机驱动等高要求场景，让您的设备运行更强劲、更可靠。

它的卓越之处在于精妙的平衡：仅36毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，提升整体能效；同时优化的栅极电荷特性，确保了快速、干净的开关动作，减少开关损耗。这让您不仅能设计出更高功率密度的产品，还能有效简化散热设计，降低系统复杂性和成本。选择它，就是选择了一条通往高效、紧凑且稳健的功率解决方案的捷径。