STY100NS20FD - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STY100NS20FD技术参数详情：

当您的工业电机驱动系统需要面对严苛的负载冲击时，是否曾为功率器件的稳定性和效率而担忧？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体的高性能功率解决方案STY100NS20FD，这颗采用先进MESH OVERLAY技术的N沟道MOSFET，正是为应对高功率挑战而生的利器。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性、降低整体能耗、赢得市场竞争的关键伙伴。

想象一下，在伺服驱动器、大功率开关电源、不间断电源(UPS)乃至电焊机等核心应用中，STY100NS20FD正以其卓越性能大放异彩。其高达200V的漏源电压和100A的连续漏极电流承载能力，意味着它能够轻松驾驭高电压大电流的复杂工况，为您的设备提供澎湃而稳定的动力源泉。在电机启动的瞬间，或是电源负载突变的时刻，它都能稳如磐石，确保系统流畅运行，有效避免因功率器件失效导致的停机损失。

选择STY100NS20FD，就是选择了一份经得起考验的卓越价值。其超低的导通电阻（典型值仅24毫欧@50A,10V），直接转化为更少的热量损耗和更高的能源转换效率，长期运行下来，为您节省的可观电费就是最直接的回报。同时，高达450W的功率耗散能力和150°C的结温工作范围，赋予了它出色的散热性能和环境适应性，即使在高温恶劣的工业现场也能游刃有余。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，专业的ST代理商将为您提供全面的技术支持和供应链保障。这颗芯片封装于坚固的MAX247通孔封装中，易于安装和散热管理，让您的设计工作更加高效便捷。它代表的不仅是意法半导体的顶尖工艺，更是您产品迈向更高可靠性、更强竞争力的坚实一步。

型号:STY100NS20FD
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:MAX247
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:360 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7900 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:450W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:MAX247
封装/外壳:TO-247-3
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还在为寻找一颗能同时兼顾高功率、低损耗和卓越可靠性的MOSFET而烦恼吗？STY100NS20FD正是您期待的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有200V耐压和100A的强大电流处理能力，专为 demanding 的工业级应用而设计。

它的核心价值在于让您的系统运行得更“冷静”、更高效。极低的导通电阻显著减少了开关和导通时的功率损耗，直接提升整体能效，同时其优异的散热设计（最大耗散功率450W）确保了在高温环境下的长期稳定工作。无论是驱动电机、构建电源还是其他功率转换环节，它都能让您轻松应对高负载挑战，实现性能与可靠性的完美平衡。