STY130NF20D

在追求极致效率的电力转换系统中，您是否仍在为功率器件的导通损耗和散热问题而烦恼？当电流高达数十甚至上百安培时，每一个毫欧的电阻都意味着巨大的能量浪费和热量堆积。现在，让我们向您介绍一款能够显著提升系统能效与可靠性的解决方案STY130NF20D。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，以其卓越的电气性能和坚固的封装，正在重新定义大电流、高电压应用的设计边界。

想象一下，在工业电机驱动、大功率不间断电源（UPS）或高效服务器电源的核心位置，STY130NF20D正以其高达130A的连续漏极电流承载能力和200V的漏源电压，稳定地处理着澎湃的能量。其核心魅力在于极低的导通电阻在65A电流、10V驱动电压下，Rds(On)最大值仅为12毫欧。这意味着在导通状态下，芯片自身的功率损耗被降至极低水平，更多的电能被有效输送给负载，而非转化为无用的热量。这不仅直接提升了整机效率，更能简化散热设计，让您的产品在紧凑空间内也能实现高功率密度运行。

选择STY130NF20D，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。它隶属于STripFET II产品家族，采用了先进的MOSFET技术，确保了开关性能与导通损耗的完美平衡。高达450W的功率耗散能力（Tc条件下）和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它应对严苛工况的非凡韧性。无论是应对瞬间的电流冲击，还是在持续高温环境下长时间运行，它都能保持稳定表现。其MAX247通孔封装不仅提供了优异的机械强度和散热路径，也便于在传统PCB板上进行可靠焊接。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过正规的ST代理商，您依然可以获取高质量的库存或找到性能相当的替代方案，确保您的生产与研发计划不受影响。让STY130NF20D成为您下一代高可靠性电源与驱动设计的强大心脏，释放系统的全部潜能。

• 型号:STY130NF20D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 130A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 65A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:338 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STY130NF20D，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大电流、高电压重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STY130NF20D正是为您这样的挑战而生的利器。这颗N沟道MOSFET能轻松驾驭高达130A的连续电流和200V的电压，其超低的12毫欧导通电阻（@65A,10V）意味着更少的导通损耗和发热，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它基于STripFET II技术打造，拥有快速的开关特性和优异的栅极电荷控制（Qg仅338nC @10V），这有助于降低开关损耗，提升整体能效。高达450W的功率处理能力和宽达-55°C至150°C的工作结温，让它在严酷的工业环境中也能稳定可靠地工作。选择STY130NF20D，就是为您的核心功率电路注入一颗强劲而可靠的心脏。