IRF620

在追求更高能效与可靠性的电子设计领域，您是否正在寻找一款能够轻松驾驭200V高压、稳定输出6A电流的功率开关解决方案？今天，我们为您带来一款久经市场考验的经典之选IRF620。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其卓越的PowerMESH II技术，将高性能与高可靠性完美结合，是您构建高效电源、电机驱动或照明系统的坚实基石。

想象一下，在您的开关电源设计中，它能够以极低的导通损耗（典型RdsOn仅800毫欧）高效切换能量，显著减少发热，提升整体效率。在电机控制应用中，其高达200V的漏源电压和6A的连续电流能力，让您从容应对启动瞬间的电流冲击，确保驱动平稳有力。无论是工业自动化设备中的继电器替代，还是消费类电子产品中的负载开关，IRF620都能以其宽泛的工作温度范围（-65°C至150°C）和70W的强大功率处理能力，在各种严苛环境下稳定运行，大幅延长产品寿命。

选择IRF620，就是选择了一份源自ST意法半导体尖端工艺的安心保障。其TO-220AB的经典封装形式，不仅便于安装和散热，更意味着拥有成熟广泛的供应链支持。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和庞大的市场存量，使其依然是许多经典设计升级或备货的优选。为了确保您能获得正品可靠的货源，我们建议您通过官方授权的ST芯片代理进行询价与采购，他们不仅能提供专业的选型支持，还能保障芯片的追溯性与长期供应稳定性，让您的项目无后顾之忧。

• 型号:IRF620
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购IRF620，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您需要一个能扛起高压、大电流开关重任的“得力干将”吗？IRF620正是这样一款经典功率MOSFET。它基于ST先进的PowerMESH II技术打造，拥有200V的耐压和6A的连续电流能力，让您在设计开关电源、电机驱动或照明控制电路时，能够轻松实现高效、低损耗的能量切换。

这颗芯片的导通电阻低至800毫欧（@10V），意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的系统运行更凉爽、效率更高。其坚固的TO-220AB封装和宽达-65°C至150°C的工作结温范围，确保了它在各种环境下都能稳定可靠地工作，是提升产品耐用性和性能表现的理想选择。