SCT20N120H

当您的下一代电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否曾渴望一种既能承受高压大电流，又能将开关损耗降至最低的革命性解决方案？答案就在SCT20N120H。这不仅仅是一颗晶体管，它是ST意法半导体基于前沿碳化硅（SiC）技术打造的功率开关利器，专为突破传统硅基器件的物理极限而生。想象一下，在1200V的高压下，它依然能保持极低的导通电阻和惊人的开关速度，这意味着您的系统将获得前所未有的效率提升和功率密度，同时显著降低散热需求和系统体积。

无论是追求极致效率的服务器电源、电动汽车车载充电机（OBC），还是需要高可靠性的太阳能逆变器和工业电机驱动，SCT20N120H都能成为您设计的核心动力。其高达200°C的结温工作能力，确保了在严苛环境下的稳定运行，让您的产品无惧高温挑战。而H2PAK-2的表面贴装封装，不仅优化了散热性能，更为自动化生产和高密度布局提供了便利，加速您的产品上市进程。

选择SCT20N120H，就是选择为您的产品注入领先一代的基因。它带来的不仅仅是参数上的优势，更是系统级成本的优化和终端产品竞争力的飞跃。更低的开关损耗直接转化为更少的能源浪费和更小的散热器，让您的设计更紧凑、更环保。我们作为值得信赖的ST代理，不仅能为您提供这颗性能卓越的芯片，更能提供完整的技术支持和供应链保障，助您轻松驾驭碳化硅技术，将创新构想快速转化为市场领先的产品。现在就拥抱SiC的未来，让SCT20N120H成为您征服下一个功率高峰的可靠伙伴。

• 型号:SCT20N120H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:175W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购SCT20N120H，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为提升电源转换效率而绞尽脑汁吗？SCT20N120H这颗基于碳化硅技术的N沟道功率FET，正是为您破解难题的关键。它拥有1200V的耐压和20A的连续电流能力，却能凭借仅290毫欧的超低导通电阻和极低的栅极电荷，大幅降低开关损耗和导通损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源设计轻松实现更高的功率密度和频率，简化散热设计，从而缩小整体体积和重量。无论是开发更高效的太阳能逆变器、更紧凑的工业电源，还是更可靠的电动汽车充电模块，SCT20N120H都能提供强大的性能基石，助您打造出在能效和可靠性上都具有显著优势的下一代产品。