SCTH100N65G2-7AG

当您的下一代电源系统设计面临效率瓶颈时，是否曾想过，有一种材料能彻底改变游戏规则？碳化硅（SiC）技术正以前所未有的速度重塑功率电子的未来，而SCTH100N65G2-7AG正是这一浪潮中的佼佼者。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体将尖端SiCFET技术与严苛汽车级标准完美融合的结晶，专为那些追求极致性能、可靠性与能效的工程师而生。

想象一下，在电动汽车的OBC（车载充电机）中，这颗芯片能以高达95A的连续电流和650V的耐压，轻松应对高频高效的功率转换需求，让充电速度更快、能量损失更少。在服务器电源或工业电机驱动中，其低至26毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，意味着更低的开关损耗和导通损耗，系统整体效率轻松突破98%不再是梦想。即使在175°C的高结温下，它依然稳定工作，为您的设计提供了广阔的热管理余量和长期可靠性保障。这正是来自ST中国代理所全力推广的、面向未来的解决方案。

选择SCTH100N65G2-7AG，就是选择了一种面向未来的技术自信。其采用的H2PAK-7封装不仅提供了优异的散热性能，更适合自动化表面贴装生产，能有效提升您的制造良率并降低成本。相较于传统的硅基MOSFET，SiCFET带来的高频开关能力可以让您使用更小的无源元件，从而显著缩小系统体积与重量，这对于空间寸土寸金的汽车和数据中心应用至关重要。它通过了AEC-Q101车规认证，天生为严酷环境设计，让您的产品从诞生之初就具备征服市场的过硬品质。当效率、功率密度和可靠性成为决胜关键时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴，助您打造出领先一代的电源产品。

• 型号:SCTH100N65G2-7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-7
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):95A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 50A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 5mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:162 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3315 pF @ 520 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-7
• 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
• 现在可以订购SCTH100N65G2-7AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为提升电源转换效率而绞尽脑汁吗？SCTH100N65G2-7AG这颗基于先进碳化硅技术的N沟道MOSFET，就是为您破解难题的钥匙。它拥有650V的高耐压和95A的强大电流承载能力，配合极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关和导通损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片专为严苛环境打造，符合汽车级AEC-Q101标准，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保在高温高可靠性的应用中稳定输出。无论是设计电动汽车充电桩、服务器电源，还是工业电机驱动，选择它，都能让您轻松实现更高的功率密度和更卓越的能效表现，快速将创新想法转化为具有市场竞争力的产品。