STB100NH02LT4

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为效率与体积的平衡而苦恼？想象一下，一颗能够承载60A强劲电流，同时将导通损耗降至极低的功率开关，能为您的产品带来怎样的性能飞跃与竞争优势？答案，就蕴藏在STB100NH02LT4这颗卓越的N沟道功率MOSFET之中。

它绝不仅仅是一个简单的开关。源自ST意法半导体久负盛名的STripFET III技术平台，这颗芯片天生就拥有低导通电阻的卓越基因。在10V驱动下，其导通电阻（Rds(on)）低至惊人的6毫欧，这意味着在高达30A的电流通过时，它所产生的热量和功率损耗被大幅削减。更低的损耗直接转化为更高的系统效率、更长的电池续航，以及更简洁的散热设计，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现脱颖而出。无论是面对持续的高负载，还是应对瞬间的电流冲击，它都能以稳定可靠的姿态从容应对。

这种强大的性能，正是为了赋能那些对空间和效率都极为苛刻的应用场景而生。在紧凑型DC-DC转换器中，它是提升功率密度的核心引擎；在电机驱动和伺服控制模块里，它提供迅捷而精准的开关响应，确保动力输出的平顺与有力；在各类电源分配和负载开关应用中，它则是高效节能的可靠守卫。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）和D2PAK封装带来的优异散热能力，确保了它在严苛环境下依然稳定运行，大大提升了终端产品的可靠性与环境适应性。

选择STB100NH02LT4，就是选择了一份经过市场验证的性能保障。它代表了ST在功率半导体领域深厚的技术积淀，其参数不仅停留在纸面，更经过了无数实际应用的锤炼。虽然该型号已进入停产状态，但通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获得可靠的货源与专业的技术支持，确保您的项目供应链稳定，设计延续无忧。让这颗凝聚了尖端技术的功率器件，成为您打造下一代高效、紧凑、可靠电子产品的秘密武器，开启能效革命的新篇章。

• 型号:STB100NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB100NH02LT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能同时驾驭高电流与低损耗的“全能型”功率开关吗？STB100NH02LT4正是为您而来的解决方案。它基于先进的STripFET III技术，在仅24V的漏源电压下，能持续承载高达60A的电流，而其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动、30A电流条件下，电阻值仅为6毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片旨在让您的设计工作变得轻松。其5V至10V的宽泛驱动电压范围，让它与多种控制器都能完美匹配。低至1.8V的栅极阈值电压和优化的栅极电荷，确保了快速、干净的开关特性，有助于减少开关损耗并提升整体频率响应。无论是用于提升DC-DC转换器的功率密度，还是强化电机驱动的控制精度，它都能让您以更小的散热负担，实现更强的功率输出。

采用坚固的D2PAK表面贴装封装，并结合高达100W的功率耗散能力与宽广的工作温度范围，STB100NH02LT4为您提供了在紧凑空间内处理大功率的可靠基石，是追求高效率、高可靠性设计的工程师们的理想之选。