STB85NS04Z

在追求极致效率的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款能在高电流下保持稳定、低损耗的功率开关而困扰？想象一下，当您的电源模块需要处理高达80A的连续电流时，每一毫欧的导通电阻都意味着能量的浪费和热量的累积。今天，我们为您带来的STB85NS04Z，正是意法半导体SAFeFET系列中一颗专为应对此类严苛挑战而生的高性能N沟道MOSFET。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统能效、增强可靠性的关键伙伴。

将目光投向实际应用，这颗芯片的强大实力在汽车电子、工业电源以及高性能计算服务器的DC-DC转换器中展现得淋漓尽致。在电动汽车的辅助电源系统中，它能够高效地管理大电流的开关动作，确保能量平稳输送；在服务器电源的同步整流环节，其低至15毫欧的导通电阻（在30A, 10V条件下）能显著降低导通损耗，直接转化为更低的运行温度和更高的整体效率。面对-55°C到175°C的宽广结温范围，STB85NS04Z都能稳定工作，赋予您的产品适应极端环境的坚韧品质。

选择STB85NS04Z，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它集成了33V的漏源电压和优化的栅极电荷（仅100nC @ 10V），意味着您能以更小的驱动压力实现快速、干净的开关，从而简化驱动电路设计，减少开关损耗。其D2PAK封装提供了优异的散热能力和机械强度，非常适合表面贴装的大功率应用。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理商，您依然可以获取库存或找到完美的替代升级方案，确保您的生产连续性不受影响。让这颗凝聚了意法半导体尖端技术的功率器件，成为您打造下一代高效、紧凑、可靠电力电子系统的基石。

• 型号:STB85NS04Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:33 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:215W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB85NS04Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要处理汹涌电流的电源或电机驱动方案吗？STB85NS04Z就是您的高效动力引擎。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有80A的连续电流处理能力和低至15毫欧的导通电阻，能显著降低您系统中的功率损耗，让热量不再是性能的瓶颈。

它采用坚固的D2PAK封装，轻松应对表面贴装工艺，并能在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定运行。无论是进行快速的开关切换，还是承受高强度的功率耗散（高达215W），它都能游刃有余，让您的产品设计更高效、更可靠。