STB10LN80K5

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否还在为高压开关损耗和系统稳定性而烦恼？现在，让我们向您介绍一个划时代的解决方案STB10LN80K5。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道功率MOSFET，凭借其800V的卓越耐压能力和8A的连续漏极电流，正重新定义着高压应用领域的性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明这些严苛的应用场景中，系统需要承受频繁的高压冲击和持续的电流负载。STB10LN80K5正是为此而生。它采用了ST引以为傲的MDmesh K5技术，这项技术通过优化单元结构和工艺，在保持超低导通电阻（RDS(on)）的同时，显著降低了栅极电荷（Qg）和内部电容。这意味着在您的实际电路中，开关速度更快，开关损耗更低，系统整体效率得以大幅跃升，让您的终端产品在能效比拼中脱颖而出，运行更凉爽、更安静。

选择STB10LN80K5，就是选择了一份从容与安心。其高达110W的功率耗散能力，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保了它在最恶劣的环境下也能稳定工作，极大提升了系统的鲁棒性和使用寿命。经典的D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，也便于生产焊接和自动化贴装。当您需要可靠的原厂货源和专业的技术支持时，可以随时联系我们的官方ST代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。将STB10LN80K5融入您的下一个设计，让它成为您释放系统潜能、赢得市场的秘密武器。

• 型号:STB10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB10LN80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STB10LN80K5正是您的理想之选。这颗基于先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和8A的强大电流处理能力，旨在让您的电源转换和电机驱动设计轻松应对高压挑战。

其核心价值在于卓越的动态性能：极低的栅极电荷和输入电容，配合630毫欧的优异导通电阻，共同实现了超快的开关速度和极低的传导损耗。这意味着它能显著提升系统整体效率，减少热量产生，让您的设备运行更高效、更可靠。无论是面对工业级的严苛环境，还是追求极致的能效表现，STB10LN80K5都能让您的设计游刃有余。