STB10NK60Z-1

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗既能承受高压冲击，又能保持低温高效运行的“心脏”？答案就在STB10NK60Z-1。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的坚固耐压和10A的强大电流处理能力，专为那些要求严苛的能源转换场景而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升整机性能、赢得市场先机的秘密武器。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动控制板中，STB10NK60Z-1正稳定地工作着。它源自ST引以为傲的SuperMESH技术家族，这项技术精髓在于大幅降低了导通电阻。具体到这颗器件，其Rds(On)典型值极低，这意味着在导通时，电能损耗被最小化，更多的能量被有效输送到负载端，而不是转化为令人头疼的热量。对于工业变频器、UPS不间断电源或照明镇流器而言，这种高效意味着更长的运行时间、更小的散热器体积，最终带来更紧凑、更可靠的产品设计。

选择STB10NK60Z-1，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其高达115W的功率耗散能力（Tc条件下）和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了它在恶劣环境下依然游刃有余。通孔I2PAK封装提供了优异的机械强度和散热性能，让安装稳固，热管理轻松。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过可靠的ST一级代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或找到完美的替代方案，确保您的生产计划与产品生命周期管理无缝衔接。这不仅仅是一次元器件采购，更是为您的产品注入持久动力与卓越稳定性的战略决策。

• 型号:STB10NK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STB10NK60Z-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率转换系统中的开关损耗和热管理问题烦恼吗？让STB10NK60Z-1为您带来改变。这颗600V/10A的N沟道MOSFET，采用先进的SuperMESH技术，能显著降低导通电阻，从而大幅提升效率，让您的电源或电机驱动应用运行得更凉爽、更节能。

它拥有优异的开关特性，栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于简化您的驱动电路设计，实现更高频率的稳定开关。坚固的I2PAK通孔封装和高达115W的功率处理能力，让您轻松应对高功率密度设计的挑战，确保系统在严苛环境下长期可靠运行。