STI16N65M5

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭650V高压与12A电流，却能将导通电阻控制在极低水平的功率器件，将为您的产品带来怎样的性能飞跃？这正是STI16N65M5诞生的意义它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh V系列技术的杰出代表，旨在重新定义中高功率应用的效率边界。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的新能源充电设施，稳定可靠的高压开关都是系统的心脏。STI16N65M5凭借其650V的漏源电压和12A的连续电流能力，为这些严苛场景注入了强劲动力。其采用的先进MDmesh V技术，通过优化单元结构和工艺，实现了超低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），这意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗。当它工作在您的电路中时，您将直观感受到系统整体温度的下降和效率曲线的提升，让产品在激烈的市场竞争中凭借优异的能效表现脱颖而出。

选择STI16N65M5，就是选择了一份经过验证的可靠性与前瞻性的技术结合。它高达90W的功率耗散能力和150°C的结温，为您提供了充裕的设计余量和在恶劣环境下稳定运行的信心。通孔I2PAK封装兼顾了优异的散热性能和坚固的机械特性，简化了您的生产装配流程。我们深知，一颗优秀芯片的背后离不开顺畅的供应链支持，因此选择可靠的ST芯片代理合作伙伴至关重要，它能确保您稳定获取这款高性能器件，并得到专业的技术支持，让您的创新之旅毫无后顾之忧。立即将STI16N65M5纳入您的设计，体验它如何化身为提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

• 型号:STI16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:279 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STI16N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能轻松应对650V高压平台，同时保持高效、低温运行的功率开关吗？STI16N65M5正是为您而来。这颗来自意法半导体MDmesh V系列的N沟道MOSFET，拥有12A的强劲电流输送能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻（Rds(on)），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它集成了多项优化设计：较低的栅极电荷助力实现更快的开关频率，提升系统动态响应；优异的散热封装（I2PAK）确保高达90W的功率可安全耗散。这一切，都旨在让您轻松攻克能效挑战，在工业电源、充电器或PFC电路等应用中，构建出更紧凑、更可靠的下一代产品。