STB11NM80T4

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临高压、高功率场景下的性能瓶颈与散热挑战？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STB11NM80T4。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和11A的连续漏极电流，重新定义了高压开关应用的性能标准。它不仅仅是一个元器件，更是您提升系统效率、确保长期稳定运行的强大引擎。

想象一下，在工业电机驱动、大功率开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）乃至新能源领域的PFC（功率因数校正）电路中，STB11NM80T4都能大显身手。其核心搭载了ST引以为傲的MDmesh技术，这项专利技术通过优化的垂直结构，在保持超低导通电阻（Rds(on)）的同时，显著降低了开关损耗和栅极电荷。这意味着在频繁开关的高频应用中，它能有效减少热量产生，让您的系统运行更“冷静”，效率更高，从而直接降低整体能耗和散热成本。

选择STB11NM80T4，就是选择了一份从容与安心。它高达150W的功率耗散能力，配合宽达-65°C至150°C的工作结温范围，确保了其在严苛环境下的出色稳定性。D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式也完全适配现代自动化生产流程，助力您快速实现产品量产。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST一级代理，将为您提供从选型到供应的全程保障。让这颗集高性能、高可靠性于一体的功率芯片，成为您下一款明星产品的坚实心脏，驱动无限可能。

• 型号:STB11NM80T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB11NM80T4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压电源设计的效率与发热问题烦恼吗？让STB11NM80T4为您带来焕然一新的体验。这颗基于先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和11A的持续电流能力，能轻松应对严苛的功率开关任务。

它的核心价值在于极致的能效表现。仅400毫欧的超低导通电阻，配合优化的栅极电荷特性，让您在获得强大驱动力的同时，显著降低开关损耗和导通损耗。这意味着您的系统将运行得更高效、更凉爽，直接提升整体能效并简化散热设计。选择它，就是为您的工业电源、电机驱动或新能源设备注入一颗高效、可靠的“强芯”。