STB12NM50N

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为功率器件的选择而犹豫？当500V的电压平台与11A的持续电流成为设计基础时，一颗兼具性能与稳定性的MOSFET就是您成功的关键。今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh II系列中的经典力作STB12NM50N。它不仅仅是一个功率开关，更是您提升系统整体表现、赢得市场竞争力的强大引擎。

想象一下，在开关电源、电机驱动或照明镇流器的核心电路中，每一次开关动作都要求迅捷而精准，任何能量损耗都意味着成本的增加和温度的攀升。STB12NM50N凭借其先进的MDmesh II技术，将导通电阻（RdsOn）在10V驱动下优化至仅380毫欧，这意味着更低的导通损耗和更出色的热管理。其高达100W的功率耗散能力与150°C的结温，确保了即使在严苛环境下也能稳定运行，让您的产品寿命与可靠性双双跃升。

无论是工业电源、UPS不同断电源，还是家用电器中的高效电机控制，这颗芯片都能完美融入。其D2PAK封装提供了优异的散热性能和机械强度，非常适合表面贴装的大规模生产。当您需要构建一个高效、紧凑且耐用的功率级时，选择STB12NM50N就意味着选择了经过市场验证的解决方案。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其在库存充足的情况下，依然是许多经典设计或特定项目极具性价比的优选。为确保您能获取到正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理商进行咨询与采购。

归根结底，选型就是选择伙伴。您需要的不仅是一个参数表上的零件，更是一个能承载设计意图、保障终端产品长期稳定运行的基石。STB12NM50N以其500V的耐压、11A的电流能力、快速的开关特性以及意法半导体一贯的高品质，为您提供了这样一个值得信赖的选择。它帮助您简化设计挑战，将更多精力聚焦于系统创新，最终为用户带来更节能、更安静、更可靠的产品体验。立即行动，让这颗经典的功率芯片为您的下一个项目注入强劲动力！

• 型号:STB12NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB12NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为如何平衡功率开关的效率与成本而烦恼吗？让意法半导体的STB12NM50N来为您解决难题！这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，是您实现高效电能转换的得力助手。它拥有500V的高耐压和11A的连续电流能力，能轻松应对开关电源、电机驱动等应用中的高压大电流场景。

其核心优势在于极低的导通损耗在10V驱动下，导通电阻低至380毫欧，这意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的系统运行更凉爽、更高效。同时，优化的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，有助于提升整体频率响应和功率密度。选择它，就是选择了一个经过验证的、能显著提升您产品能效与可靠性的高性能解决方案。