STB13N80K5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB13N80K5技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为高压开关损耗与系统可靠性之间的平衡而困扰？当800V高压平台成为工业电源、新能源及家电领域的趋势，一颗兼具高性能与高可靠性的功率MOSFET，正是决定产品成败的关键。今天，我们为您带来意法半导体SuperMESH5家族的明星产品STB13N80K5，它将用颠覆性的表现，重新定义您对高压开关器件的期待。

想象一下，在服务器电源的PFC电路中，或在太阳能逆变器的DC-DC模块里，甚至是在您家中空调的变频驱动板上，STB13N80K5正以其800V的坚固耐压和12A的强大电流处理能力，从容应对各种严苛的开关动作。其革命性的SuperMESH5技术，将导通电阻（Rds(on)）降至惊人的450毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。搭配仅29nC的低栅极电荷，它能实现极快的开关速度，显著降低开关损耗，让您的系统整体效率轻松突破新高，同时运行温度更低，寿命更长。

选择STB13N80K5，就是选择了一份从容与安心。它不仅仅是一个参数优秀的器件，更是系统稳定性的基石。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在极端环境下依然稳定工作，而D2PAK封装则提供了卓越的功率耗散能力（高达190W）和坚固的机械可靠性。无论是面对工业环境的震动，还是消费电子对体积的严苛要求，它都能完美胜任。如果您正在寻找值得信赖的供应链伙伴，专业的ST中国代理将为您提供从技术选型到批量供应的全方位支持。让STB13N80K5成为您下一代高效、紧凑、可靠电源设计的核心动力，开启能效新纪元。

型号:STB13N80K5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:190W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题寻找解决方案吗？STB13N80K5正是为您而来的答案。这颗基于意法半导体先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V/12A的强悍规格，其超低的450毫欧导通电阻和29nC栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源设计轻松实现更高的功率密度和能源效率。

它能让您的产品，无论是工业电源、UPS、光伏逆变器还是电机驱动，都运行得更凉爽、更安静、更可靠。其坚固的D2PAK封装和宽泛的工作温度范围，确保了在恶劣环境下依然表现稳定，大幅提升系统整体寿命。选择STB13N80K5，就是选择让您的设计在性能与可靠性上双双赢得先机。