STB13NM50N-1 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB13NM50N-1技术参数详情：

当您需要一款能够在高压环境下稳定输出、同时兼顾效率与可靠性的功率开关解决方案时，您是否曾为选型而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。我们隆重向您推荐STB13NM50N-1，这款源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，正是为应对严苛挑战而生的卓越之选。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或高效照明镇流器中，一颗功率器件正承受着高达500V的电压考验，同时需要流畅地处理12A的连续电流。这正是STB13NM50N-1大显身手的舞台。其出色的MDmesh II技术，意味着更低的导通损耗和更优的开关性能，让您的电源系统在高效转换能量的同时，显著降低温升，提升整体可靠性。无论是工业电机驱动、不间断电源（UPS），还是电焊机等对功率密度和耐用性要求极高的应用，它都能游刃有余，确保系统长时间稳定运行。

选择STB13NM50N-1，就是选择了一份经过市场验证的卓越品质与性能保障。它拥有仅320毫欧的低导通电阻（在10V驱动电压下），这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的使用寿命。高达100W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它强大的过载能力和宽广的工作裕度。其通孔I2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，也便于在各类PCB板上进行可靠的焊接与安装。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过值得信赖的ST中国代理，您依然可以获得稳定可靠的货源和专业的技术支持，确保您的项目顺利进行，无后顾之忧。让这颗凝聚了尖端技术的功率芯片，成为您打造下一代高性能、高可靠性电力电子产品的坚实基石。

型号:STB13NM50N-1
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:I2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:100W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:I2PAK
封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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还在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关核心吗？STB13NM50N-1正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有500V的耐压和12A的连续电流处理能力，其核心的MDmesh II技术让导通电阻低至惊人的320毫欧，能显著降低开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅参数亮眼，更注重实际应用体验。优化的栅极电荷和输入电容特性，让驱动设计更为轻松，有助于提升开关频率和系统响应速度。高达100W的功率耗散能力和150°C的结温，为您提供了充足的设计余量和可靠性保障。无论是用于提升现有产品的能效等级，还是开发更具竞争力的新平台，STB13NM50N-1都能让您轻松驾驭高压功率应用，实现性能与可靠性的双重飞跃。