STB13NM50N

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的功率开关？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案STB13NM50N。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh II技术的杰出代表，专为那些对性能有严苛要求的应用而生。想象一下，在500V的高压平台上，它能持续输送12A的强劲电流，而导通电阻却低至惊人的320毫欧，这意味着更少的热量产生，更高的能源转换效率，直接为您的系统稳定性和能效表现注入强大信心。

这颗芯片的身影，活跃在各类开关电源、电机驱动、工业照明以及不间断电源(UPS)等关键领域。无论是服务器电源中需要处理瞬态高功率，还是电动工具驱动电路要求快速响应与耐用，STB13NM50N都能以其卓越的开关特性和坚固的D2PAK封装，从容应对。其高达150°C的结温工作能力和100W的功率耗散，确保了即使在恶劣环境下也能长时间稳定运行，大大延长了终端产品的使用寿命，减少了维护成本。

选择STB13NM50N，就是选择了一份经过市场验证的可靠性。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的性能和在众多经典设计中积累的口碑，使其依然是特定升级或备货项目的优选。其10V驱动电压下的优异表现，以及低至30nC的栅极电荷，让您的驱动电路设计更为简化高效。如果您正在寻找可靠的货源与技术支持，我们的ST一级代理身份能确保您获得正品保障与专业的供应链服务，让您的选型无后顾之忧。它代表的是一种以稳定为核心的价值主张，助力您的产品在竞争中奠定坚实的性能基石。

• 制造商产品型号：STB13NM50N
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh II
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：30nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：960pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：100W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：D2PAK
• 现在可以订购STB13NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

在追求极致能效的今天，您是否在寻找一颗能轻松掌控500V高压、同时保持低导通损耗的功率开关？STB13NM50N正是为此而生。它基于意法半导体先进的MDmesh II技术，让您在处理高达12A的连续电流时，仅需面对极低的320毫欧导通电阻，显著降低开关损耗和发热，直接提升系统的整体效率与可靠性。

这颗N沟道MOSFET具备优异的开关特性，其低栅极电荷和输入电容让驱动设计变得简单高效，助力您的电源或电机驱动方案实现更快的响应速度。采用坚固的D2PAK表面贴装封装，并结合高达150°C的结温工作能力，它能让您的产品从容应对高负荷和严苛环境，确保长久稳定运行。