STH110N10F7-6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH110N10F7-6技术参数详情：

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的损耗和温升问题而困扰？想象一下，一个能够承载110A大电流却仅有6.5毫欧超低导通电阻的开关器件，将如何彻底改变您的设计格局。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的高性能解决方案STH110N10F7-6，这颗基于先进STripFET VII与DeepGATE技术的N沟道MOSFET，正是为突破效率瓶颈而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是新能源领域的车载充电机(OBC)和光伏逆变器，STH110N10F7-6都能大显身手。其100V的漏源电压和高达110A的连续电流能力，为高功率密度设计提供了坚实的保障。在频繁开关的DC-DC转换器中，其极低的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让系统整体效率轻松攀升。面对严苛的工业环境，其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了卓越的可靠性与稳定性，让您的设备无惧挑战。

选择STH110N10F7-6，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与安心保障。它代表了意法半导体在功率MOSFET领域的深厚积淀，其H2PAK-6封装不仅优化了散热性能，也为表面贴装生产带来了便利。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获得稳定的库存支持与专业的技术服务，为现有产品线的维护与升级保驾护航。让这颗凝聚尖端技术的芯片，成为您打造更高效、更可靠、更具市场吸引力产品的秘密武器，立即行动，解锁电力转换的无限潜能。

型号:STH110N10F7-6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:150W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-6
封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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当您的设计需要处理高达110A的强劲电流时，是否渴望一颗既能承受高压又极致高效的“心脏”？STH110N10F7-6正是为此而来。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和惊人的110A连续电流能力，而其核心魅力在于仅6.5毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它采用了先进的STripFET VII技术，配合优化的H2PAK-6封装，不仅功率耗散能力出色，更能让您轻松实现高功率密度设计。无论是提升开关电源的转换效率，还是强化电机控制的响应速度，STH110N10F7-6都能以卓越的电气性能和热性能，助您一臂之力，让复杂的高功率应用变得简单而高效。