STI150N10F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STI150N10F7技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为功率损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够将导通电阻降至毫欧级别，同时承载高达110A电流的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计格局。今天，我们向您隆重介绍意法半导体STripFET家族的明星产品STI150N10F7，它正是为解决这些核心挑战而生。

这款N沟道MOSFET以其卓越的4.2毫欧超低导通电阻，在55A电流、10V驱动电压下，将导通损耗降至前所未有的低水平。这意味着在服务器电源、工业电机驱动、大功率DC-DC转换器乃至新能源车车载充电机（OBC）等严苛应用中，STI150N10F7能显著提升系统整体效率，减少热量产生，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。其100V的漏源电压和高达250W的功率耗散能力，为高功率密度设计提供了坚实的保障。

选择STI150N10F7，不仅仅是选择了一颗高性能的功率器件，更是选择了一种面向未来的设计理念。它采用成熟的I2PAK（TO-262）通孔封装，兼顾了优异的散热性能和坚固的机械特性，非常适合对稳定性和寿命有极高要求的工业与汽车级应用。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）确保了它在极端环境下依然能稳定工作。当您需要可靠的技术支持和稳定的货源时，我们的ST一级代理身份能为您提供从选型到量产的全方位服务，让创新之路畅通无阻。

型号:STI150N10F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-262（I2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8115 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:250W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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还在寻找那颗能同时驾驭高电流与低损耗的“心脏”吗？STI150N10F7 N沟道MOSFET就是您的理想答案。它凭借意法半导体先进的STripFET技术，实现了仅4.2毫欧的超低导通电阻，让您在处理高达110A的连续电流时，也能将功率损耗和温升控制在极低水平，从而轻松达成更高的系统能效目标。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个高效、可靠的电力开关，专为100V电压环境下的高功率应用而优化。无论是驱动大型电机、构建高效的开关电源，还是用于新能源领域的功率转换，STI150N10F7都能让您的设计更紧凑、运行更凉爽、性能更持久。选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的动力核心。