STB141NF55 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB141NF55技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换系统中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能同时兼顾高电流承载与超低导通电阻的解决方案，将如何彻底改变您的电源设计。现在，答案就在眼前STB141NF55，这颗来自意法半导体STripFET II家族的N沟道功率MOSFET，正是为突破性能瓶颈而生。

它不仅仅是一个参数表上的明星，更是您产品可靠性的坚实基石。高达80A的连续漏极电流和仅8毫欧的超低导通电阻，意味着在电机驱动、大功率DC-DC转换器或服务器电源等严苛应用中，它能显著降低导通损耗，让更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其卓越的开关特性，配合D2PAK封装出色的散热能力，让系统即使在持续高负载下也能保持冷静与稳定，大幅延长设备寿命，减少维护成本。

从工业自动化中的伺服驱动器，到新能源领域的车载充电机(OBC)，再到不断追求能效的数据中心电源，STB141NF55都能游刃有余。它宽广的工作温度范围(-55°C至175°C)确保了在极端环境下的可靠运行，而优化的栅极电荷设计则简化了驱动电路，让您的设计更简洁、更高效。选择它，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能。当您需要可靠的技术支持和本土化服务时，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队，将随时为您提供从选型到量产的全方位协助。这不仅仅是一次元器件采购，更是为您的下一个成功产品注入强大的核心动力。

型号:STB141NF55
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能扛起大电流、压得住损耗的“能量开关”吗？STB141NF55正是您的理想之选！它凭借意法半导体先进的STripFET II技术，实现了惊人的80A电流处理能力与低至8毫欧的导通电阻，让您的电源或电机驱动系统效率飙升，发热大幅降低。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个高效、敏捷的“电能守门员”。在10V驱动电压下，它能以极低的开关损耗快速响应，确保能量传输路径畅通无阻。其D2PAK封装提供了强大的散热基础，结合高达300W的耗散能力，让您轻松应对持续高功率挑战。无论是提升现有方案的性能，还是开发下一代高效能产品，STB141NF55都能让您的设计更稳健、更高效。