STB155N3LH6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB155N3LH6技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在高达80A的电流下，将导通电阻降至仅3毫欧的功率开关，将为您的系统效率带来怎样的飞跃？今天，我们为您带来的STB155N3LH6，正是这样一款旨在重塑功率密度的标杆之作。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体尖端STripFET VI技术与DeepGATE工艺的结晶，专为挑战极限的应用而生。

当您设计新一代的服务器电源、高性能计算单元的VRM，或是需要强劲动力的电动工具、无人机电调时，STB155N3LH6的价值将展露无遗。其30V的漏源电压与高达80A的连续电流能力，为12V至24V总线系统提供了坚实可靠的心脏。更低的Rds(on)意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体能效，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的续航和稳定性脱颖而出。无论是应对瞬间大电流冲击，还是在紧凑空间内实现高功率密度布局，它都能游刃有余。

选择STB155N3LH6，就是选择了一份对卓越性能的承诺。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），确保了快速、干净的开关特性，显著降低了驱动损耗和开关噪声，让您的控制环路设计更为简洁高效。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的环境适应性与可靠性。采用坚固的D2PAK封装，不仅散热性能出众，也完全兼容自动化表面贴装生产，助力您快速实现量产。如果您正在寻找能够同时征服效率、功率与可靠性高峰的解决方案，STB155N3LH6无疑是您的不二之选。如需获取样品、技术资料或采购支持，欢迎联系我们的ST中国代理，我们将为您提供全方位的专业服务。

型号:STB155N3LH6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:最后售卖
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
现在可以订购STB155N3LH6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STB155N3LH6 N沟道MOSFET就是为您的高性能应用量身定制的答案。它集成了意法半导体先进的STripFET VI技术，在仅5V或10V的驱动电压下，就能实现低至3毫欧的超低导通电阻，轻松驾驭高达80A的连续电流，让您的电源转换或电机驱动系统效率大幅提升，热量显著降低。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的设计突破功率密度瓶颈。其优异的开关特性（低栅极电荷）意味着更快的切换速度和更低的驱动损耗，帮助您构建响应更迅捷、能效更高的电路。同时，高达110W的功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了它在严苛环境下的稳定运行与长久寿命。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。