STB15N65M5

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否渴望一款能同时兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案？今天，我们为您带来答案STB15N65M5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其650V的卓越耐压能力和11A的连续漏极电流，为您的工业电源、电机驱动和照明系统注入强劲动力。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

想象一下，在服务器电源的紧凑空间里，或在电动汽车充电桩的严苛环境下，稳定与高效是永恒的追求。STB15N65M5凭借其MDmesh V技术，实现了极低的导通电阻（典型值远低于340毫欧）和优化的栅极电荷，这意味着更低的传导损耗和开关损耗。它能轻松应对PFC、LLC谐振转换等拓扑结构，让您的电源效率轻松突破95%大关，同时将温升控制在理想范围内，确保系统长时间稳定运行，无惧高温挑战。

选择STB15N65M5，就是选择了一份来自顶尖半导体品牌的品质承诺。其D2PAK封装提供了优异的散热性能和机械强度，非常适合自动化贴装，能大幅提升您的生产良率。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或找到完美的升级替代方案，确保您的供应链安全无虞。它代表的是一种经过市场验证的经典价值用卓越的性能参数和坚如磐石的可靠性，为您的终端产品赢得市场口碑。现在就为您的下一个设计项目配备这颗动力核心，体验效率跃升带来的显著价值。

• 型号:STB15N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:810 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为功率转换系统的效率与散热问题烦恼吗？让STB15N65M5来为您解决！这颗650V/11A的N沟道MOSFET，采用先进的MDmesh V技术，能显著降低导通和开关损耗，助您轻松构建高效、低温的电源方案。

它专为要求严苛的应用而生，无论是工业电源、电机驱动还是高性能LED照明，STB15N65M5都能提供稳定可靠的开关性能。其优化的动态参数和坚固的D2PAK封装，让您的设计更高效，系统运行更持久，直接提升产品市场竞争力。