STL260N4F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL260N4F7技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源管理系统是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够承载120A大电流、同时将导通电阻降至仅1.1毫欧的功率开关，将为您的设计带来怎样的性能飞跃？答案就在STL260N4F7之中。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的STripFET F7技术，重新定义了40V电压等级下功率器件的性能标杆。它不仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

无论是服务器和数据中心里要求严苛的DC-DC转换模块，还是新能源汽车中高效的电驱与电池管理系统，甚至是工业自动化设备里需要可靠开关的电机驱动，STL260N4F7都能游刃有余。其高达188W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了在最恶劣的环境下依然稳定可靠。这意味着您的产品可以更紧凑、更高效，同时拥有更长的使用寿命和更低的故障率，直接转化为终端用户可感知的价值优势。

选择STL260N4F7，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关速度更快，驱动更轻松，显著降低了开关损耗，这对于提升整个电源系统的效率至关重要。其采用的PowerFlat（5x6）封装，在提供出色散热性能的同时，极大节省了宝贵的PCB空间。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST中国代理团队将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STL260N4F7成为您下一款明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STL260N4F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5000 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:188W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
现在可以订购STL260N4F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为寻找一颗既能扛大电流、又能保持超低损耗的“全能型”功率开关而烦恼吗？STL260N4F7正是为您而来的解决方案。这颗基于先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有40V耐压和高达120A的连续电流能力，而其核心魅力在于惊人的低导通电阻仅1.1毫欧。这意味着它能让您的电源转换或电机驱动电路损耗大幅降低，效率显著提升，同时发热更少，系统运行更凉爽、更可靠。

它不仅仅参数亮眼，更致力于让您的设计工作变得轻松高效。极低的栅极电荷和输入电容让驱动电路设计简化，开关速度更快，有助于您优化整体系统性能。采用节省空间的PowerFlat封装，并支持-55°C至175°C的严苛工作温度，让您的产品能够从容应对各种应用环境挑战，从工业自动化到新能源领域，它都是提升产品能效与功率密度的理想选择。