STB60N55F3

在追求极致效率的电源与电机驱动设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，一个强大的解决方案已经到来STB60N55F3，这颗源自ST意法半导体STripFET III家族的N沟道功率MOSFET，正是为应对高电流、高效率挑战而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，电流高达80A，每一次开关都伴随着能量的转换与损耗。STB60N55F3凭借其革命性的低导通电阻在10V驱动下仅8.5毫欧，能显著降低传导损耗，将更多电能转化为有效输出，而非无谓的热量。这意味着您的系统运行更凉爽、更稳定，长期可靠性得到根本性提升。其高达110W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，让它即使在严苛环境下也能从容应对，为您的设计注入强劲动力。

无论是驱动高性能的BLDC电机，构建高效的同步整流电路，还是作为大电流负载开关，STB60N55F3都能完美融入。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，让您的系统响应更迅捷，电磁干扰（EMI）更易于管理。选择它，就是选择了一种经过市场验证的可靠技术路径。虽然该型号已进入停产状态，但通过与可靠的ST一级代理合作，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的稳定与安全。这不仅是选择一颗芯片，更是选择了一个值得信赖的技术伙伴和一份面向未来的性能承诺。

• 型号:STB60N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STB60N55F3正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有55V的耐压和高达80A的连续电流承载能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（Rds(on)），能大幅减少功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率，让设备运行更节能、更凉爽。

它采用先进的STripFET III技术，开关特性优异，栅极驱动简单。无论是用于高效的DC-DC转换、电机控制，还是作为大功率负载开关，它都能让您的设计轻松应对高电流挑战，实现稳定可靠的性能输出。选择它，就是为您的产品选择了一份强大的动力保障。