STB15NM60ND

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，您是否在寻找一颗能同时驾驭高电压与高功率的“心脏”级功率器件？答案或许就藏在STB15NM60ND这颗性能卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个开关，更是您系统高效、稳定运行的坚实保障。源自ST意法半导体备受赞誉的FDmesh II技术平台，这颗芯片天生就为应对严苛的功率转换环境而生，其600V的漏源电压和14A的连续漏极电流能力，让它在众多同类产品中脱颖而出，成为工程师应对高压挑战的可靠伙伴。

想象一下，在开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器乃至工业照明镇流器的核心位置，STB15NM60ND正以其低至299毫欧的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），默默发挥着关键作用。这意味着更低的传导损耗和更快的开关速度，直接转化为更低的系统温升和更高的整体能效。无论是面对频繁启停的电机驱动，还是要求严苛的工业电源，它都能游刃有余，确保能量以最经济、最可控的方式传递。选择它，就是为您的产品注入了持久耐用的基因。

那么，在琳琅满目的功率器件市场中，为何要坚定地选择STB15NM60ND？其根本在于它带来的综合价值远超一个简单的元件。FDmesh II技术带来的卓越开关性能与坚固性，意味着您的设计可以更紧凑，散热管理更轻松，系统寿命更长。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和久经考验的可靠性，使其成为许多经典和持续生产项目的理想之选。对于需要稳定供应和可靠技术支持的客户，通过值得信赖的ST中国代理进行采购，不仅能确保获得正品货源，还能获得本地化的技术服务和供应链支持，让您的产品开发与生产全无后顾之忧。选择STB15NM60ND，不仅是选择一个元器件，更是选择了一份经过市场验证的性能承诺和一份安心的合作伙伴关系。

• 型号:STB15NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB15NM60ND，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在为高压、高功率应用寻找一颗高效可靠的开关核心？STB15NM60ND正是为您而来的解决方案。这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和14A的电流处理能力，其超低的导通电阻（Rds(on)）能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它卓越的开关特性（低栅极电荷Qg）让您能够轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件尺寸，优化整体系统成本与体积。无论是构建工业级开关电源、功率因数校正模块，还是驱动电机，STB15NM60ND都能提供稳定、强劲的性能输出，助您轻松应对严苛的能效与可靠性挑战。