STB16PF06LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB16PF06LT4技术参数详情：

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理或电机驱动方案是否还在为寻找一颗性能与成本完美平衡的P沟道MOSFET而烦恼？想象一下，一款能在高达60V电压下稳定工作，承载16A持续电流，同时将导通损耗降至最低的功率开关，将如何彻底改变您的产品性能？答案就蕴藏在STB16PF06LT4这颗杰出的功率器件之中。

它绝不仅仅是一个简单的开关。得益于意法半导体先进的STripFET技术，这颗芯片在导通电阻上实现了显著突破，在10V驱动电压下，其Rds(On)低至惊人的125毫欧。这意味着在您的高电流应用场景中，无论是服务器电源中的同步整流、工业自动化设备里的负载开关，还是电动工具和无人机中高效的电能转换，STB16PF06LT4都能将宝贵的电能更多地输送给负载，而非转化为令人头疼的热量。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关速度更快，驱动更轻松，直接提升了系统的整体频率响应和效率，让您的产品在激烈的市场竞争中快人一步。

选择STB16PF06LT4，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺与性能保障。其坚固的D2PAK封装提供了卓越的散热能力，确保在-55°C至175°C的严苛结温范围内稳定运行，赋予产品无与伦比的可靠性与长寿命。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及可能存在的库存或替代方案，对于许多经典或特定项目而言，依然是极具价值的选择。为确保您能顺利获取这颗性能标杆器件或获得专业的替代建议，我们强烈推荐您咨询官方授权的ST代理商，他们能为您提供最权威的技术支持和供应链服务。让STB16PF06LT4成为您下一个成功产品的强大心脏，释放前所未有的功率密度与能效表现。

型号:STB16PF06LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为P沟道MOSFET的驱动效率和功率损耗而困扰吗？STB16PF06LT4正是为您破解难题的关键。这颗采用STripFET技术的60V/16A功率MOSFET，凭借低至125毫欧的导通电阻和仅15.5nC的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的电源转换或电机控制方案运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭从工业电源、电池保护到电机驱动在内的多种应用。其坚固的D2PAK封装和宽达-55°C至175°C的工作结温范围，确保了在恶劣环境下的卓越可靠性。选择STB16PF06LT4，就是为您的设计注入一颗强劲而高效的心脏，直接提升终端产品的性能与竞争力。