STF7N105K5

当您的电源设计面临高压、高可靠性的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能承受极端电压冲击，又能保持高效稳定运行的功率开关而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出STF7N105K5，这颗基于意法半导体革命性SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，正是为突破极限而生。它不仅仅是一个组件，更是您系统坚固心脏的有力保障，1050V的超高漏源电压意味着它能从容应对工业电网波动、电机反电动势等复杂高压环境，将系统安全边界提升到一个全新维度。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STF7N105K5正扮演着能量流精准指挥官的角色。其仅2欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），配合17nC的低栅极电荷，共同实现了超低的开关损耗和导通损耗。这意味着您的设备能在更宽的温度范围（-55°C至150°C结温）内持续高效运行，不仅降低了散热设计的复杂度与成本，更直接提升了整机能效，让您的产品在节能指标上脱颖而出。无论是工业自动化设备中的伺服驱动，还是新能源领域的光伏逆变器，它都能确保能量转换过程既快速又“冷静”。

选择STF7N105K5，就是选择了一份经得起时间考验的可靠承诺。TO-220FP封装提供了优异的通孔安装可靠性和散热能力，最大25W的功率耗散为持续稳定工作奠定了物理基础。其稳健的设计确保了在频繁开关和高压应力下的长寿命，极大减少了系统故障风险。为了让您能更便捷、安心地获取这颗性能尖兵，我们推荐您通过官方授权的ST中国代理进行采购，从而确保获得原装正品、完整的技术支持以及稳定的供货保障。立即将STF7N105K5纳入您的设计，让它成为您打造下一代高性能、高可靠性电力电子产品的秘密武器，开启能效与稳定性的新篇章。

• 型号:STF7N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF7N105K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能轻松驾驭高压应用，同时保持高效与可靠的功率开关吗？STF7N105K5正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有高达1050V的漏源电压和4A的连续漏极电流，基于先进的SuperMESH5技术，它能显著降低导通和开关损耗，让您的电源或电机驱动设计效率更高，运行更凉爽。

它集低栅极电荷（仅17nC）与低导通电阻（2欧姆）于一身，让您能够实现更快的开关频率和更简洁的驱动电路设计。采用坚固的TO-220FP封装，确保在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，是您构建工业电源、PFC电路和电机控制等高压应用的可靠基石，助您轻松提升产品性能与市场竞争力。