STB190NF04T4

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款能在高电流下保持低损耗、同时具备出色热管理能力的功率开关而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STB190NF04T4。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其120A的连续漏极电流和低至4.3毫欧的导通电阻，重新定义了40V应用场景下的性能标杆。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体效率、降低运营成本的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，能量损耗每降低一点，都意味着更长的运行时间、更低的散热需求和更可靠的整体性能。STB190NF04T4正是为此而生。它采用先进的STripFET III技术，在高达175°C的结温下依然稳定工作，确保您的设备即使在严苛环境下也能持续输出强劲动力。无论是应对瞬间的高负载冲击，还是在持续大电流工况下运行，它都能游刃有余，让您的产品在竞争中脱颖而出。

选择STB190NF04T4，就是选择了一份经得起验证的品质与性能保障。其D2PAK封装不仅提供了优异的功率耗散能力（高达310W），也兼顾了表面贴装的生产便利性。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获得稳定供货与全面的技术支持，确保项目顺利推进与长期维护。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次对未来产品可靠性和市场竞争力的战略投资。让STB190NF04T4成为您下一个成功设计的坚实基石。

• 型号:STB190NF04T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.3 毫欧 @ 95A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB190NF04T4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要处理大电流的电源或电机控制方案吗？STB190NF04T4就是您的高效动力核心。这颗N沟道MOSFET能轻松承载高达120A的连续电流，而其超低的4.3毫欧导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统能效，降低发热。

得益于STripFET III技术和D2PAK封装，它能在-55°C至175°C的宽广温度范围内稳定工作，并有效散耗高达310W的功率。无论是用于提升工业驱动器的可靠性，还是优化服务器电源的转换效率，它都能让您的设计更强大、更可靠。选择它，就是为您的产品注入了经久耐用的高性能基因。