STB20N65M5

在追求更高能效和更可靠性的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而烦恼？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STB20N65M5。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的MDmesh V技术，为您带来前所未有的性能飞跃。它不仅拥有650V的高耐压和18A的强劲电流能力，更关键的是，其极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），意味着更少的能量在器件内部转化为热量，从而让您的系统运行得更凉爽、更持久，效率提升触手可及。

想象一下，无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断追求轻量化与长续航的新能源汽车车载充电机（OBC），STB20N65M5都能完美融入。它的高可靠性设计，确保在严苛的工业温度环境下（结温高达150°C）依然稳定工作，功率耗散能力高达130W，为您的产品应对各种挑战提供了坚实的保障。其表面贴装D2PAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，大幅提升您的制造效率。当您需要构建一个高效、紧凑且鲁棒性强的功率转换核心时，它就是那个值得信赖的基石。

选择STB20N65M5，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计理念。它帮助您轻松降低系统的总能耗和温升，延长终端产品的使用寿命，最终在激烈的市场竞争中赢得关键优势。要获取这颗性能利器并享受专业的技术支持，请联系您信赖的ST代理商。让他们为您提供从选型到量产的一站式服务，助您将创新的电源设计快速转化为市场领先的产品。立即行动，让STB20N65M5为您的下一个项目注入强大动力！

• 型号:STB20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1434 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在寻找一颗能同时兼顾高效率与高可靠性的650V功率开关吗？STB20N65M5正是您期待的答案。它基于ST先进的MDmesh V技术，为您带来极低的190毫欧导通电阻和优化的动态性能，显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松应对高达18A的连续电流和130W的功率处理需求，其650V的漏源电压为您提供了充足的设计余量。更低的栅极电荷（仅36nC）意味着您可以使用更小的驱动器，简化设计并降低成本。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，STB20N65M5都是您实现设计目标的强大引擎。