STB21N90K5

当您需要一款能在严苛环境下稳定运行，同时兼顾高效能与可靠性的功率开关解决方案时，您会如何选择？答案或许就藏在STB21N90K5这颗卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、增强产品竞争力的关键引擎。基于意法半导体引以为傲的SuperMESH5技术，这颗芯片在900V的高压领域树立了新的性能标杆，其极低的导通电阻和卓越的开关特性，意味着更少的能量损耗和更高的整体效率，让您的设计从一开始就赢在起跑线上。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩这些对效率和可靠性要求极高的场景中，任何微小的性能提升都能带来巨大的价值。STB21N90K5正是为此而生。它高达18.5A的连续漏极电流和250W的强大功率处理能力，使其能够轻松应对大功率、高频率的开关任务。无论是应对电网的波动，还是处理电机启动时的瞬间冲击，它都能提供坚如磐石的稳定表现，确保您的核心系统在任何工况下都运行如常，大幅延长设备的使用寿命并降低维护成本。

选择STB21N90K5，就是选择了一份来自技术前沿的保障。其表面贴装的D2PAK封装不仅优化了散热性能，还便于自动化生产，能有效帮助您缩短产品上市周期。更重要的是，通过与值得信赖的ST中国代理合作，您不仅能获得稳定可靠的货源和具有竞争力的价格，更能得到专业的技术支持与选型指导，确保这颗高性能芯片的价值在您的产品中得到完美释放。从提升能效到增强可靠性，再到简化设计流程，STB21N90K5是您迈向下一代高性能电源与驱动系统不可或缺的伙伴。

• 型号:STB21N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1645 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为高压大功率应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STB21N90K5来为您提供突破性的解决方案。这颗基于SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有高达900V的击穿电压和18.5A的连续电流能力，能轻松驾驭严苛的功率开关环境。

它凭借极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。无论是用于提升电源转换效率，还是驱动高性能电机，它都能让您以更小的体积和更低的温升，实现更强大的功率输出，彻底释放您设计的潜能。