STD18N55M5

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在高功率密度应用中苦苦寻求更可靠的开关解决方案时，是否曾期待一颗能同时驾驭高性能与高性价比的功率器件？今天，我们为您带来的STD18N55M5，正是这样一颗源自ST意法半导体MDmesh V家族的明星产品，它将用550V的耐压能力和16A的连续电流，重新定义您对高效功率转换的认知。

这颗N沟道MOSFET的核心魅力，在于其极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅192毫欧的Rds(on)值意味着更少的导通损耗，更多的电能被高效传递而非转化为热量。配合高达110W的功率耗散能力，它能在紧凑的DPAK封装内稳定处理可观的功率，让您的系统即使在150°C的高结温下也能持续可靠运行。更低的栅极电荷（仅31nC）和输入电容，确保了快速的开关速度，显著降低了开关损耗，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。

无论是服务器电源、工业电机驱动、光伏逆变器，还是高功率LED照明和充电桩，STD18N55M5都能游刃有余。它就像一位沉默而强大的能量调度官，在AC-DC转换的PFC（功率因数校正）阶段，或在DC-DC的硬开关、谐振拓扑中，精准控制电流的通断，将电能损耗降至最低，直接转化为您产品的能效优势和市场竞争力。选择它，就是为您的终端设备注入了持久、高效的动力核心。

为何众多领先厂商在关键设计中纷纷转向STD18N55M5？答案在于其无可比拟的价值平衡。它不仅仅提供了优异的电气参数，更代表了ST在功率半导体领域深厚的技术积淀。MDmesh V技术带来了卓越的开关性能与坚固性的完美结合。当您通过值得信赖的ST一级代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是产品本身，更是从技术支援、稳定供应到品质保障的全方位价值。在追求更高功率密度和更高可靠性的今天，让STD18N55M5成为您下一个爆款产品的强大心脏，开启能效革命的新篇章。

• 型号:STD18N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:192 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD18N55M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能显著提升电源效率、同时保持系统稳定可靠的功率开关？STD18N55M5正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有550V高耐压和16A大电流处理能力，其核心价值在于极低的192毫欧导通电阻，能大幅减少导通损耗，让您的电能转换更加高效。

得益于先进的MDmesh V技术，它具备快速的开关特性和低栅极电荷，能有效降低开关损耗，轻松应对高频应用。高达110W的功率耗散和150°C的工作结温，确保了它在严苛环境下的持久可靠性。无论是用于电源、电机驱动还是逆变器，它都能让您的设计更紧凑、性能更卓越。