STF4LN80K5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF4LN80K5技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案时，工程师们是否常常面临高压、高可靠性以及散热空间有限的多重挑战？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STF4LN80K5。这款源自意法半导体MDmesh K5系列的高压MOSFET，正是为应对这些严苛要求而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键钥匙。

想象一下，在您的开关电源、照明驱动或工业电机控制应用中，STF4LN80K5能够轻松驾驭高达800V的电压，提供稳定可靠的3A连续电流。其卓越的MDmesh K5技术，带来了极低的导通电阻和栅极电荷，这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。当您的设备在-55°C到150°C的宽广温度范围内稳定运行时，您收获的是用户对产品耐用性和可靠性的绝对信任。

选择STF4LN80K5，就是选择了一份从容与高效。其TO-220FP封装在保证出色散热能力的同时，也为您的PCB布局提供了更大的灵活性。无论是升级现有产品线，还是开发面向未来的创新设计，这颗芯片都能让您的方案脱颖而出。我们专业的ST芯片代理团队，随时准备为您提供从选型支持到供应链保障的全方位服务，确保您的创意从蓝图到量产一路畅通。现在就拥抱STF4LN80K5，让它成为您下一个成功产品的强大心脏。

型号:STF4LN80K5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:122 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:20W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STF4LN80K5为您开启高效电源设计的新篇章。这颗N沟道高压MOSFET，凭借其800V的耐压和3A的电流能力，能轻松成为您开关电源、LED驱动和电机控制系统的核心开关器件。

它采用了意法半导体先进的MDmesh K5技术，为您带来极低的导通电阻和栅极电荷。这意味着它能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的设备运行更凉爽、能效比更高，直接帮助您节省能源成本并提升产品可靠性。其坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定工作，让您的设计无后顾之忧。