STB21NK50Z

当您的下一个汽车电子或工业电源项目需要面对严苛的效率和可靠性挑战时，您是否在寻找一颗能够从容应对高压、大电流环境，同时确保系统长期稳定运行的核心开关器件？答案或许就藏在STB21NK50Z这颗强大的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您构建高效、耐用电源系统的坚实基石。

想象一下，在电动汽车的OBC（车载充电机）中，或者在工业电机驱动和PFC（功率因数校正）电路中，系统需要在500V的高压下稳定切换高达17A的电流。这正是STB21NK50Z大显身手的舞台。它采用的SuperMESH技术，是其卓越性能的灵魂所在。这项技术显著优化了单元结构，使得在保持超低导通电阻的同时，大幅降低了栅极电荷和内部电容。这意味着什么？意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接转化为更高的系统整体效率和更小的热管理压力。当您的设备在150°C的结温下依然能可靠工作时，您收获的是终端产品无与伦比的耐用性和客户口碑。

选择STB21NK50Z，就是选择了一份来自意法半导体汽车级品质的承诺。它符合AEC-Q101标准，这是专为汽车应用设定的严苛可靠性门槛，确保它能经受住振动、温度循环和长期运行的考验。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热能力，支持高达190W的功率耗散，而且成熟的表面贴装工艺让您的生产流程更加高效顺畅。虽然该型号目前已停产，但对于许多仍在生命周期内的经典设计或特定备货需求而言，它依然是经过市场验证的可靠选择。如果您需要获取这颗芯片或了解更多替代方案，可以咨询专业的ST代理商，他们能为您提供全面的技术支持与供应链服务。让STB21NK50Z成为您动力系统背后的沉默力量，助力您的产品在性能与可靠性的道路上全速前进。

• 型号:STB21NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB21NK50Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要处理高压功率的转换器或电机驱动吗？STB21NK50Z正是为您应对这类挑战而生的利器。这颗N沟道MOSFET拥有500V的漏源电压和17A的连续电流能力，其核心的SuperMESH技术让它能在10V驱动电压下，实现仅270毫欧的超低导通电阻，显著降低开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它不仅性能强悍，更具备出色的易用性和可靠性。极低的栅极电荷（仅119nC）意味着您可以用更简单的驱动电路来驾驭它，从而简化设计。符合汽车级AEC-Q101标准，确保它能在-55°C至150°C的严酷温度范围内稳定工作，是汽车电子或高可靠性工业应用的理想选择。选择STB21NK50Z，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。