STP36NF06FP

想象一下，您的下一个电源转换或电机驱动项目，需要一个能在高电流下稳定运行、同时保持极低损耗的核心开关器件。这正是STP36NF06FP大显身手的舞台。作为STripFET II家族的明星成员，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统效率、实现紧凑设计的得力助手。其高达18A的连续漏极电流承载能力和仅40毫欧的超低导通电阻，意味着在开关过程中，能量损耗被大幅削减，更多的电能被有效利用，直接转化为更长的运行时间、更低的发热量以及更可靠的整体性能。

无论是工业自动化中的电机驱动、开关电源中的DC-DC转换模块，还是汽车电子里的负载控制单元，这款N沟道功率MOSFET都能轻松应对。其60V的漏源电压额定值提供了充足的电压裕度，确保在复杂的电气环境中稳定工作。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，其通孔安装方式也兼顾了生产便利性与机械强度。当您面临空间受限但性能要求苛刻的设计挑战时，选择STP36NF06FP就意味着选择了一种经过市场验证的、高效的解决方案。我们作为专业的ST授权代理，确保您能获得原厂正品与全面的技术支持。

为什么众多工程师在需要可靠功率开关时，会持续信赖这款产品？答案在于它卓越的性价比和平衡的参数表现。10V的驱动电压使其易于被标准逻辑电路或驱动器控制，而31nC的低栅极电荷则显著降低了开关损耗，提升了高频应用的效率。从-55°C到175°C的宽广工作结温范围，赋予了它适应严苛环境的能力。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用基础以及市场上可观的库存，使其依然是许多经典设计升级或特定需求项目的明智之选。选择STP36NF06FP，就是为您的产品注入一份来自意法半导体的高效与可靠基因。

• 型号:STP36NF06FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STP36NF06FP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关利落的功率开关吗？STP36NF06FP正是为此而生！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达18A的电流处理能力，其核心魅力在于仅40毫欧的超低导通电阻。这意味着当它导通时，电流流过几乎不产生额外热量，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用成熟的STripFET II技术，不仅开关速度快（栅极电荷仅31nC），而且驱动简单（标准10V驱动电压）。无论是用于提升现有设计的能效，还是构建新的电机控制、电源管理模块，它都能让您轻松实现高性能与高可靠性的目标。TO-220FP封装提供了出色的散热路径，确保功率稳定输出。