STB25N80K5

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压大电流开关器件的选择而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍STB25N80K5，这颗源自意法半导体SuperMESH5家族的N沟道功率MOSFET，它不仅仅是一个组件，更是您提升系统性能、迈向更高能效等级的强力引擎。其800V的卓越耐压与19.5A的强大电流承载能力，为您的设计构筑了坚实的安全边际，让高压环境下的稳定运行成为理所当然。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至新能源领域的充电桩和光伏逆变器中，每一次开关动作都关乎整体系统的效率与寿命。STB25N80K5正是为此类严苛应用而生。它凭借仅260毫欧的超低导通电阻，在高压大电流工况下能显著降低导通损耗，将更多电能转化为有效输出而非无谓的热量。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更持久，同时直接助力于提升整机效率，满足日益严苛的能效标准。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

为何众多工程师在关键设计中信赖STB25N80K5？其核心魅力在于SuperMESH5技术带来的全面优化。它不仅拥有优异的静态参数，更在动态性能上表现出色：极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速、干净的开关特性，减少了开关损耗和电磁干扰（EMI），让驱动电路设计更为轻松。表面贴装D2PAK封装提供了出色的散热能力和机械强度，非常适合自动化生产。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，可以随时联系我们的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。选择STB25N80K5，就是选择了一个经过市场验证的高性能解决方案，它将帮助您缩短开发周期，降低系统总成本，最终打造出在市场上更具竞争力的产品。

• 型号:STB25N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关核心吗？STB25N80K5正是您的理想之选。这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和19.5A的强大电流处理能力，专为应对严苛的工业与能源应用而设计。

它的核心价值在于让您的系统运行得更高效、更可靠。极低的260毫欧导通电阻能大幅减少功率损耗，直接提升能效；优化的栅极电荷和电容特性确保了快速干净的开关，让您轻松实现更高的开关频率和更简洁的驱动设计。无论是提升电源密度还是增强系统鲁棒性，STB25N80K5都能成为您设计中值得信赖的功率基石。