STB30NM50N

在追求更高能效与更紧凑设计的电源系统中，工程师们是否常常面临功率密度与散热管理的双重挑战？今天，我们为您带来一个历经市场验证的经典解决方案STB30NM50N。这款来自意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，以其500V的耐压和27A的连续电流能力，为您的电源设计注入强大而可靠的核心动力。它不仅仅是一个开关器件，更是提升系统整体性能、实现高效能量转换的关键钥匙。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至高功率LED照明驱动器中，稳定与效率是生命线。STB30NM50N正是为此类严苛应用而生。其卓越的MDmesh II技术，在导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间取得了精妙平衡，这意味着在频繁开关的工况下，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让系统运行更凉爽，能效比大幅提升。高达190W的功率耗散能力，配合D2PAK封装优异的散热特性，确保了即使在高温高负载环境下也能稳定工作，极大延长了设备的使用寿命和可靠性。

选择STB30NM50N，就是选择了一份经过时间淬炼的信任。它代表了意法半导体在高压功率MOSFET领域的深厚积淀。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能和广泛的应用适配性，使其在存量市场和特定升级项目中依然极具价值。对于寻求高性价比、高可靠性替代方案或进行经典设计维护的工程师而言，它依然是值得重点考虑的选项。您可以通过信赖的ST代理商获取相关库存与技术支持，确保您的项目供应链稳定无忧。让这颗经典的功率芯片，继续为您的创新产品保驾护航，实现性能与成本的最优解。

• 型号:STB30NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:115 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2740 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STB30NM50N正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有500V的坚固耐压和27A的强大电流吞吐能力，核心采用意法半导体成熟的MDmesh II技术，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它集低栅极电荷与稳健的热性能于一身，采用便于散热和焊接的D2PAK封装，能轻松应对高达190W的功率耗散。这意味着您可以更从容地设计系统，在提升功率密度的同时，无需过分担忧热管理的压力。STB30NM50N致力于以经典可靠的性能，简化您的高压功率设计挑战，助力产品赢得市场先机。