STL35N6F3

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为功率器件的导通损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个仅需10V驱动电压就能实现超低导通电阻的解决方案，将如何彻底改变您的电源模块或电机驱动设计？答案就蕴藏在STL35N6F3这颗性能卓越的功率MOSFET之中。

作为意法半导体STripFET III家族的明星成员，它专为高效率、高密度应用而生。其核心魅力在于仅22毫欧的超低导通电阻（在10V Vgs，3A条件下），这意味着在相同的电流负载下，它能将更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。高达35A的连续漏极电流承载能力和60V的漏源电压，赋予了它应对严苛工况的充沛底气，无论是服务器电源中的同步整流，还是电动工具中迅猛的电机启停控制，它都能游刃有余，确保系统运行既强劲又冷静。

这种卓越的性能直接转化为广泛的应用场景。在紧凑的DC-DC转换器中，它能显著提升整机效率，帮助您的产品轻松超越能效标准；在无人机电调或小型工业电机驱动器内，其快速的开关特性和强大的电流处理能力，是实现精准、迅捷控制的关键；即便在环境温度波动较大的汽车辅助系统中，其宽广的-55°C至175°C结温工作范围也提供了可靠的保障。选择STL35N6F3，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心基因。

那么，为何它能在众多选项中脱颖而出？首先，STripFET III技术带来了导通电阻与芯片面积的最佳平衡，让您在有限的PCB空间内获得最大的功率处理能力。其PowerFlat（5x6）封装不仅体积小巧，利于散热设计，还能简化您的生产流程。虽然该型号已停产，但通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获取经过严格质量控制的库存，为现有产品线的维护或特定项目提供稳定支持。这不仅仅是一颗晶体管，更是一个经过市场验证的高性能解决方案，它能降低您的系统热设计难度，提升能效表现，最终让您的终端产品在市场上更具竞争力。立即探索它的潜力，开启您下一个高效设计。

• 型号:STL35N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 35A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL35N6F3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？STL35N6F3正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达35A的连续电流能力，其核心优势在于极低的导通电阻（仅22毫欧@10V），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉快、更高效。

它采用节省空间的PowerFlat表面贴装封装，易于焊接和散热管理，能帮助您轻松实现紧凑、高功率密度的产品设计。无论是提升DC-DC转换器的效率，还是驱动电机实现快速响应，STL35N6F3都能以稳定的性能和卓越的能效，成为您设计中可靠的动力核心。