STFI13NM60N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STFI13NM60N技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临这样的困境：如何在有限的预算和空间内，实现系统性能的稳定跃升？答案或许就藏在这颗经典的功率器件之中。今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh II家族的明星成员STFI13NM60N。它不仅仅是一个600V、11A的N沟道MOSFET，更是历经市场验证的高可靠性解决方案，即便在宣布停产后，其卓越的性能和广泛的应用基础，依然使其成为许多经典设计和新项目备选方案中的明智之选。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动控制板中，一颗功率器件正默默承担着能量转换的核心重任。STFI13NM60N凭借其MDmesh II技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与出色的开关特性平衡。这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统整体效率，让您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出，同时有效控制温升，提升长期运行可靠性。其通孔I2PAKFP封装提供了坚固的机械结构和优异的散热能力，非常适合对功率密度和散热有要求的工业级应用。

选择STFI13NM60N，就是选择了一份经过时间淬炼的信任。它曾广泛应用于照明镇流器、适配器、工业电源等众多领域，其性能参数如高达600V的漏源电压和11A的连续电流能力，为设计提供了充裕的安全裕度。尽管已停产，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代规划支持，确保现有产品线的稳定维护或新项目的平滑过渡。它代表的是一种以稳定、高效为核心的价值主张，帮助您以成熟的方案应对当下的设计挑战，将风险降至最低，将性能发挥到极致。

型号:STFI13NM60N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-281（I2PAKFP）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:25W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？让STFI13NM60N为您带来改变。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和11A的电流处理能力，其核心价值在于极低的360毫欧导通电阻，能显著降低功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体能效，让热量更少，运行更稳定可靠。

它专为要求严苛的开关应用而优化，出色的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更加迅速、干净，从而减少开关损耗，进一步提升效率。其坚固的I2PAKFP通孔封装确保了卓越的散热性能，即使在高功率密度设计中也能游刃有余。选择它，就是选择了一个久经考验的高性能解决方案，让您的产品在能效和可靠性上轻松赢得竞争优势。