STB32NM50N

想象一下，您的下一个电源设计项目，是否还在为平衡效率、散热与成本而反复权衡？当市场对功率密度和可靠性的要求日益严苛，一颗性能卓越的功率开关器件就是您破局的关键。现在，让我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh II家族中的明星产品STB32NM50N。它不仅仅是一个500V耐压、22A电流能力的N沟道MOSFET，更是您构建高效、紧凑、可靠电源系统的坚实基石。

得益于先进的MDmesh II技术，这颗芯片在导通电阻和开关性能之间取得了精妙的平衡。其130毫欧的超低导通电阻（Rds(on)）意味着更低的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更为迅速、干净，显著降低了开关损耗，尤其适合在高频开关应用中大显身手。高达190W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它出色的鲁棒性和热管理潜力，让您的设计在面对严酷工况时依然从容不迫。

无论是服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS），还是高功率LED照明和电动汽车车载充电器，STB32NM50N都能完美融入。在追求高功率密度的开关电源中，它帮助您缩小磁性元件尺寸，实现更小巧的整机设计；在电机驱动应用中，其快速的开关速度和坚固性确保了控制的精准与系统的长效稳定。选择它，就是选择了一种经过市场验证的可靠解决方案，能够显著缩短您的开发周期，加速产品上市。

为何众多工程师在众多选项中最终锁定它？答案在于其无可比拟的综合价值。它不仅仅提供了优异的电气参数，更通过TO-263（DPak）这种经典的表面贴装封装，兼顾了优异的散热性能和成熟的焊接工艺可靠性，极大简化了您的生产流程。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货保障时，可以随时联系我们的ST中国代理，获取全方位的服务。选择STB32NM50N，就是为您的产品注入了来自意法半导体的创新基因与品质承诺，让您在激烈的市场竞争中，凭借卓越的能效和可靠性赢得先机。

• 型号:STB32NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1973 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的功率开关吗？STB32NM50N正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的漏源电压和22A的连续电流能力，其核心价值在于超低的130毫欧导通电阻与优化的动态参数。这意味着它能显著降低您电源系统中的传导与开关损耗，直接提升整体能效，让热量管理变得更轻松。

无论是用于开关电源、电机驱动还是功率转换电路，STB32NM50N都能让您的设计运行得更冷静、更高效。其坚固的TO-263封装和高达190W的耗散功率，确保了在苛刻环境下的长期稳定工作。选择它，就是选择了一个能帮助您简化设计、提升产品性能并加速上市的可靠伙伴。