STB33N60M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB33N60M2技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界，您是否还在为开关损耗和系统可靠性而妥协？想象一下，一款能在600V高压下稳定输出26A电流，同时将导通电阻控制在极低水平的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计格局。这正是STB33N60M2带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh II Plus技术皇冠上的一颗明珠，专为那些拒绝平庸、追求卓越的工程师而生。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的价值便熠熠生辉。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的新能源充电桩和光伏逆变器，STB33N60M2都能成为系统的心脏，强劲而稳定地搏动。其125毫欧的超低导通电阻（在13A，10V条件下），意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。在-55°C到150°C的严苛工作温度范围内，它依然能保持卓越的性能，让您的产品从容应对从酷寒到炎热的任何环境挑战，可靠性从此不再是纸上谈兵。

选择STB33N60M2，就是选择了一份面向未来的技术保障。它集成了快速恢复体二极管，显著降低了反向恢复电荷和时间，这对于高频开关应用而言至关重要，能有效减少电磁干扰，提升系统整体性能。表面贴装的D2PAK封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了散热路径，让高达190W的功率耗散变得轻松可控。这一切精妙的设计，都让您的产品在能效、功率密度和长期稳定性上脱颖而出。如果您正在寻找值得信赖的供应链伙伴，专业的ST芯片代理将为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务，确保您的创新之路畅通无阻。拥抱STB33N60M2，就是拥抱更高效、更可靠、更具竞争力的下一代电源解决方案。

型号:STB33N60M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1781 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:190W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
现在可以订购STB33N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要处理高电压、大电流的电源或电机驱动方案吗？STB33N60M2正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和26A的连续漏极电流能力，让您能轻松驾驭从工业电源到新能源逆变器的各种高压应用场景。

它的核心魅力在于极致的高效与可靠。仅125毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的导通损耗，直接提升您的系统整体能效。同时，优化的栅极电荷和快速恢复体二极管特性，确保了高速开关性能与更低的电磁干扰，让您的设计在高频下运行依然稳定安静。采用坚固的D2PAK表面贴装封装，提供了出色的散热性能，确保芯片在-55°C至150°C的宽广结温范围内持续可靠工作。